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200VN-ChannelMOSFET
CURRENT9AmpereASE9N20
VOLTAGERANG200Volts
FEATURE
9A,200V,RDS(ON)MAX0.28Ω@VGS10V/4.5A
Lowgatecharge
LowCiss
Fastswitching
100%avalanchetested
Improveddv/dtcapability
TO-252TO-251
9N20G9N20D
AbsoluteMaximumRatings(TC25℃,unlessotherwisenoted)
ParameterSymbolASE9N209N20UNIT
Drain-SourceVoltageVDSS200
V
Gate-SourceVoltageVGSS±30
ContinuousDrainCurrentID9
A
PulsedDrainCurrent(Note1)IDM36
SinglePulseAvalancheEnergy(Note2)EAS224mJ
ReverseDiodedV/dt(Note3)dv/dt5V/ns
OperatingJunctionandStorageTemperatureRangeT,T-55to+150℃
JSTG
Maximumleadtemperatureforsolderingpurposes,
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