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百学须先立志。——朱熹
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CNA
202520253
(43)申请公布日2025.07.14
(21)申请号CN202520252025.4
(22)申请日2020.04.14
(71)申请人新磊半导体科技(苏州)有限公司
地址215151江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
(72)发明人郭帅冯巍
(74)专利代理机构
代理人
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种测量半导体外延片中膜层厚度
的方法
(57)摘要
本发明提供一种测量半导体外延片
中膜层厚度的方法，涉及半导体测试技术
领域。该方法包括：提供半导体外延片的
侧表面；采用预处理溶液对侧表面处理预
定时间段；采用光学显微镜在预设倍数下
观测处理的侧表面，并利用显微镜相机获
取对应的显微镜照片；对显微镜照片进行
子曰:“知者不惑，仁者不忧，勇者不惧。”——《论语》
数据处理，获得膜层对应的像素个数数
据；根据像素个数数据和像素标尺值计算
获得膜层的厚度。通过采用溶液对侧表面
进行处理，使含铝组分不同的外延层能够
在照片中呈现不同的灰度图案，再利用预
设算法获取厚度所对应的像素个数，并结
合像素标尺值计算获得膜层厚度。该方法
对测量设备的要求较低，仅利用配置有相
机的光学显微镜和计算机即可完成对膜层
厚度的测量，易于推广应用。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址专利权人的姓名或者名
2021-12-07
的变更称、地址的变更
2020-12-08授权授权
2020-08-07实质审查的生效实质审查的生效
2020-07-14公开公开
好学近乎知，力行近乎仁，知耻近乎勇。——《中庸》
权利要求说明书
1.一种测量半导体外延片中膜层厚度的方法,其特征在于,所述半导体外延片包括半
导体衬底和在所述半导体衬底上的外延结构,所述外延结构至少包括第一膜层以及
在所述第一膜层上并且紧邻所述第一膜层的第二膜层,所述第一膜层的靠近所述衬
底的一侧的紧邻结构中的铝组分含量与所述第一膜层的铝组分含量不同,所述第二
膜层的铝组分含量与所述第一膜层的铝组分含量不同,所述方法包括:
提供待测半导体外延片的侧表面,所述侧表面与所述待测半
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