《先进电子材料α粒子特性与缺陷分析方法》.pdf

ICS

CCSB

团体标准

T/SSDA0X-2023

先进电子材料α粒子特性与缺陷分析方法

（征求意见稿）

2023-02-16发布2023-03-18实施

深圳市半导体显示行业协会发布

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T/SSDA0X-2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件由深圳市半导体显示行业协会提出并归口。

本文件主编单位：深圳大学材料学院、深圳市计量质量检测研究院、深圳大学核技术研究所。

本文件参编单位：深圳市有嘉科技有限公司、深圳市标准技术研究院。

本文件主要起草人：邹继兆、黎晓华、赵劲来、周迎春、郭继平、张帆，孙慧斌、吴正新、胡世

鹏、张春富、王超群。

本文件为首次发布。

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T/SSDA0X-2023

先进电子材料α粒子特性与缺陷分析方法

1适用范围

本文件规定了先进电子材料α粒子特性与缺陷分析的方法原理、干扰因素、仪器及设备

、试样准备、操作步骤等内容。

本文件适用于半导体材料（硅、氮化镓、碳化硅等）及器件中缺陷种类、浓度及分布状

态的分析，构建先进电子材SS料α粒子特性与缺陷的分析方法。

2规范性引用文件

下列文件对于本团体标准的应用是必不可少。凡标注日期引用文件，仅注日期的版本适

用于本文件。凡是不标注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件

。

GB/T14264半导体材料术语

GB/T16555含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法

GB/T22461表面化学分析词汇

GB/T16698-2008α粒子发射率的测量大面积正比计数管法

3术语和定义

GB/T14264、GB/T22461、GB/T16698-1996、GB/T16698-2008界定的术语和定义适用

于本标准。

4方法原理

应用低本底α粒子表面辐射检测装置对将制备的半导体材料及器件样品的α粒子辐射量

进行测量，获取样品（半导体材料及器件）能带间隙与α粒子捕获量的线性关系，结合先进

精密的材料实验室检测半导体材料及器件进行缺陷（点、线、面等）种类和分布状态的方法

和分析结果，建立缺陷种类或浓度与释放α粒子强度或分布状态的对应关系曲线，可用于建

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T/SSDA0X-2023

立基于低本底α粒子的先进电子材料快速无损检测方法，具体原理如图1所示。

图1先进电子材料α粒子检测分析原理示意图

5干扰因素

干扰因素主要包括以下方面：

α粒子表面辐射检测装置对α本底的影响；

高能宇宙射线引起的脉冲信号淹没样品发射的α粒子所造成的影响；

电离气室内氡及其子体所带来的环境本底影响；

样品表面粗糙度对测量准确度的影响。

6仪器及设备

6.1低本底α粒子表面辐射检测装置

低本底α粒子表面辐射检测装置一般由气体电离室辐射探测器、电源系统、信号放大器

与调理电子