《先进电子材料α粒子特性与缺陷分析方法》编制说明.pdf

团体标准编制说明

一、任务来源

《先进电子材料α粒子特性与缺陷分析方法》团体标准（以下简

称“标准”）于2023年1月5日批准立项。本标准由深圳市半导体

显示行业协会提出并归口，由深圳大学材料学院、深圳市计量质量检

测研究院、深圳大学核技术研究所、深圳市有嘉科技有限公司、深圳

市标准技术研究院单位共同起草。

二、工作意义

根据国务院《

深化标准和工作改革方案》释放市场活力，营造团

体标准宽松发展空间，建立基本信息公开制度，进一步专业规范指导

高端电子材料制造产业乃至新一代信息产业技术。

三、主要过程

完成）、标准提案（完成）、标

标准的全过程包括：前期筹备（

准立项（完成）、标准起草（完成）、征求意见、标准审查、标准报

批、标准发布、标准复审、标准修订、标准应用、标准评估等。

四、标准编制原则和主要内容

（一）编制原则本标准规定了先进电子材料α粒子特性与缺陷

分析的方法原理、干扰因素、仪器及设备、试样准备、操作步骤等内

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容。凡标注日期引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不标

注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

（二）标准内容开启低本底α粒子表面辐射检测装置，开始测

量，分别记录标准样品和测试样品的α粒子辐射量计数值。对照透射

电子显微镜镜、扫描电子显微镜、X射线衍射谱以及拉曼光谱等表征

手段获得的数据，揭示高能激光、X射线及脉冲等诱导半导体材料和

器件表面缺陷的形成机制，确定半导体材料及相关器件表面处理方式

与形成相关缺陷种类或浓度的对应关系。扫描电子显微镜可以观察半

导体材料或器件的表面形貌及元素组成，透射电子显微镜可以更直观

地观察半导体材料或器件处理前后微区形貌、元素组成和缺陷的种类

及分布状态，X射线衍射仪和拉曼光谱仪可以明确地看出半导体材料

或器件处理前后表面晶型结构及原子振动之间的变化规律。将获得的

结果与半导体材料及相关器件表面产生的α粒子辐射相关的数据进

行比对，找出缺陷种类和浓度对α粒子辐射的影响规律，建立对应关

系。

（1）适用范围本标准适用于半导体材料（硅、氮化镓、碳化硅

等）及器件中缺陷种类、浓度及分布状态的分析，构建先进电子材SS

料α粒子特性与缺陷的分析方法。

（2）术语和定义GB/T14264、GB/T22461、GB/T16698-1996、

GB/T16698-2008界定的术语和定义适用于本标准。

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（3）与有关的现行法律、法规和强制性国家标准的关系本标准

与现行法律、法规、政策及相关标准无冲突。

五、团体标准先进性说明

超低α粒子的快速检测分析方法，相对传统的电子材料晶圆表面

微型缺陷检测分析方法，即保证无损，又能快速检测，突破行业技术

制约，填补国内先进电子材料超低α粒子表面发射率测量领域的技

术空白，解决当前高端电子材料制造企业超低α粒子辐射量“检不出”

的技术难题，为高端电子材料制造产业乃至新一代信息技术产业提供

技术支撑。

六、重大分歧意见的处理经过和依据

无

七、标准性质的建议说明

本标准为《先进电子材料α粒子特性与缺陷分析方法》团体标准。

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团体标准编制说明

一、任务来源

《先进电子材料α粒子特性与缺陷分析方法》团体标准（以下简

称“标准”）于2023年1月5日批准立项。本标准由深圳市半导体

显示行业协会提出并归口，由深圳大学材料学院、深圳市计量质量检

测研究院、深圳大学核技术研究所、深圳市有嘉科技有限公司、深圳

市标准技术研究院单位共同起草。

二、工作意义

根据国务院《

深化标准和工作改革方案》释放市场活力，营造团

体标准宽松发展空间，建立基本信息公开制度，进一步专业规范指导

高端电子材料制