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400VN-ChannelMOSFET
CURRENT6AmpereASE6N40
VOLTAGERANG400Volts
FEATURES
*6A,400V,RDS(ON)=1.0Ω@VGS=10V
*Fastswitchingspeed
*Improveddv/dtcapability
SYMBOL
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25°C,unlessotherwisespecified)
C
PARAMETERSYMBOLRATINGSUNIT
Drain-SourceVoltageVDSS400V
Gate-SourceVoltageVGSS±30V
AvalancheCurrent(Note1)IAR6A
ContinuousID6(Note6)A
DrainCurrent
Pulsed(Note1)IDM24(Note6)A
SinglePulsed(Note2)EAS270mJ
AvalancheEnergy
Repetitive(Note1)EAR7.3mJ
PeakDiodeRecoverydv/dt(Note3)dv/dt4.5V/ns
PowerDissipationPD38W
JunctionTemperatureTJ+150°C
StorageTemperatureTSTG-55
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