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靖芯JXP3N10NRG
STBCHIP100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP3N10NRGusesShieldGateTrench
D
technologythatisuniquelyoptimizedtoprovide
themostefficienthighfrequencyswitching
performance.BothconductionandswitchingG
powerlossesareminimizedduetoanextremely
lowcombinationofRandQ.Thisdeviceis
DS(ON)g
idealforhigh-frequencyswitchingand
S
synchronousrectification.
GENERALFEATURESPINASSIGNMENT
ID=3.5A,VDS=100VSOT-223
RDS(ON)(Typ.)=105mΩ@VGS=10V(TopView)
RDS(ON)(Typ.)=135mΩ@VGS=4.5V
HighdensitycelldesignforultralowRDS(ON)
Fullycharacterizedavalanchevoltageand
current
GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
Excellentpackageforgoodheatdissipation
SpecialprocesstechnologyforhighESD
capability
APPLICATION
PACKAGE
PWMapplications
LoadswitchSOT-223
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP3N10NRG-55°Cto+150°CSOT-2233N102500
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(T=25℃unlessotherwisenoted)
A
ParameterSymbolLimitUn
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