宏盛微半导体AP280N08MP.pdf

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AP280N08MP

85VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP280N08MPusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.

ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=85VI280A

DSD

RDS(ON)2.8mΩVGS10V（Type：2.1mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP280N08MPTO-247-3LAP280N08MPXXXYYYY450

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage85V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V280A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V196A

IDMPulsedDrainCurrent1240A

EASSinglePulseAvalancheEnergy1858mJ

P@T=25℃TotalPowerDissipation4347.5

该用户很懒，什么也没介绍

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