单相合金的凝固课件.pptVIP

單相合金的凝固§5-1成分過冷1.溶質富集引起介面前液體凝固溫度（液相線溫度）變化合金原始成分C0，平衡結晶溫度T0，液相線斜率m(1)、“成分過冷”產生的條件過冷：金屬理論凝固溫度與實際溫度之差。熱過冷：金屬凝固時所需過冷完全由傳熱所提供。成分過冷：凝固時由於溶質再分配造成固液介面前沿溶質濃度變化，引起理論凝固溫度的改變而在液固介面前液相內形成的過冷。液相中只有擴散時：x=0時，x=∞時，2、成分過冷的形成——內因＋外因（冷卻速度）成分過冷度（ΔTK很小，可忽略）：產生“成分過冷”必須具備兩個條件：一是固-液介面前沿溶質的富集引起成分再分配；二是固-液介面前方液相的實際溫度分佈，或溫度分佈梯度GL必須達到一定的值。成分過冷的條件：成分過冷的過冷度:影響成分過冷區寬度和過冷度大小的因素：工藝因素：G,v合金本身的因素：DL,m,k0,C0成分過冷區的寬度，它隨凝固速度的增加而減小，隨液體中溶質的擴散係數的增大而增大。成分過冷區的寬度和成分過冷度的大小直接影響凝固時縮松、熱裂等缺陷的形成。3、成分過冷的本質（1）溶質富集使平衡結晶溫度大為降低，減小了實際過冷度，甚至阻礙晶體生長。（2）成分過冷使介面不穩定，將不能保持平面。純金屬在正溫度梯度下,為平面生長方式,在負溫度梯度下為枝晶生長方式.對合金,在正溫度梯度下且無成分過冷時，同純金屬一樣，介面為平介面形態；在負溫度梯度下，也與純金屬一樣,為樹技狀。但合金的樹枝狀生長還與溶質再分配有關。但合金在正的溫度梯度時，合金晶體的生長方式還會由於溶質再分配而產生多樣性：當稍有成分過冷時為胞狀生長，隨著成分過冷的增大（即溫度梯度的減小），晶體由胞狀晶變為柱狀晶、柱狀枝晶和自由樹枝晶（等軸枝晶）。§5-2成分過冷對凝固過程的影響1、無成分過冷的平面生長平面生長的條件：圖介面前方無成分過冷時平面生長

a）局部不穩定介面

b）最終穩定介面穩定介面的推進速率即晶體的生長速率v可由介面上熱平衡方程導出：所以：式中λS，λL—固、液兩相的導熱係數；ρ，L—合金的密度和結晶潛熱。單相合金晶體生長中同時受到傳熱和傳質過程的影響，要保持平介面生長方式，溫度梯度要高，而生長速度要低。合金的性質也有影響，C0和愈大，k偏離1愈遠，DL愈大，介面愈趨向於平面生長。2、窄成分過冷區的胞狀生長圖a）窄成分過冷區的形成

b）平介面在成分過冷作用下失去穩定c）穩定的胞狀介面形態的形成對宏觀平坦的介面，產生的任何凸起，都必將面臨較大的過冷，而以更快的速度向前長大。同時不斷向周圍的熔體中排出多餘的溶質，凹陷區域溶質濃度增加得更快，因凹陷區域的溶質向熔體擴散比凸起部分更困難。凸起部分快速生長的結果，導致凹陷部分溶質進一步濃集。溶質富集降低了凹陷區熔體的過冷度，從而抑制凸起晶體的橫向生長。凸起晶體前端的生長受成分過冷區寬度的限制，不能自由地向前伸展。當由於溶質的富集，而使介面各處的液相成分達到相應溫度下的平衡溫度時，介面形態趨於穩定。在窄成分過冷區的作用下，不穩定的宏觀平坦介面就轉變成一種穩定的、由許多近似於旋轉拋物面的凸出圓胞和網路狀凹陷的溝槽所構成的新的介面形態，這種形態稱為胞狀晶。以胞狀向前推進的生長方式，稱為胞狀晶生長方式。對於一般金屬而言，圓胞顯示不出特定的晶面；而對於小平面生長的晶體，胞晶上將顯示出晶體特性的鮮明棱角。3、較寬成分過冷區的柱狀樹枝晶生長圖柱狀枝晶生長過程隨著介面前方成分過冷區加寬，凸起晶胞將向熔體伸展更遠；原來胞晶拋物狀介面逐漸變得不穩定。晶胞生長方向開始轉向優先的結晶生長方向，胞晶的橫向也將受晶體學因素的影響而出現凸緣結構，當成分過冷加強時，凸緣上又會出現鋸齒結構即二次枝晶.圖5－5胞狀生長向枝晶生長的轉變將出現二次枝晶的胞晶稱為胞狀樹枝晶，或柱狀樹枝晶。如果成分過冷區足夠寬，二次枝晶在隨後的生長中又會在其前端分裂出三次枝晶。4、寬成分過冷區的自由樹枝晶生長圖從柱狀枝晶的外生生長轉變為

等軸枝晶的內生生長枝狀晶＋自由樹枝晶（等軸晶）當固一液介面前方液體中成分過冷的最大值大於液體中非均質生核所需要的過冷度ΔT異時,在柱狀枝晶生長的同時，介面前方這部分液體將發生新的形核過程，導致晶體在過冷的液體中自由成核生長，並長成樹枝晶，這稱為自由樹枝晶，此後的凝固過程便是等軸晶不斷向液體內部推進的過程。