相变存储器十六态多级存储特性及神经网络应用的深度探索.docx

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2025-03-22 发布于上海
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相变存储器十六态多级存储特性及神经网络应用的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

1.1.1研究背景

在信息技术飞速发展的当下，数据量呈爆发式增长态势，对存储技术提出了更为严苛的要求。传统存储技术，如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（Flash），在面对日益增长的数据存储与处理需求时，逐渐暴露出诸多局限性。DRAM虽具备快速读写的特性，然而其易失性致使断电后数据即刻丢失，这在数据安全与持久存储方面存在明显短板；而Flash虽为非易失性存储器，能够长期保存数据，但其读写速度相对较慢，擦写次数也较为有限，难以满足高速、频繁的数据读写操作需求。此外，传统存储技术在存储密度、功耗以及