QNBICC10001-2021 高通量化学气相沉积（CVD）设备第1部分：设备规范.pdf

Q/TS

宁波中国科学院信息技术应用研究

院企业标准

Q/NBICC10001-2021

高通量化学气相沉积（CVD）设备

第1部分：设备规范

High-throughputChemicalvapordeposition(CVD)equipment

Part1:equipmentspecification

2021-03-01发布2021-03-22实施

宁波中国科学院信息技术应用研究院发布

Q/10001-2021

前言

Q/10001-2021《高通量化学气相沉积（CVD）设备》分为两个部分：

——第1部分：设备规范；

——第2部分：工艺筛选方法。

本标准依据GBT1.1-2020(标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规

则)给定的规则编写。

本标准由宁波中国科学院信息技术应用研究院提出。

本标准起草单位：宁波中国科学院信息技术应用研究院。

本标准起草人：张波、张从连。

本标准为首次发布。

Q/10001-2021

高通量化学气相沉积（CVD）设备第1部分：设备规范

1范围

本标准规定了高通量化学气相沉积设备规范的术语和定义、工作环境条件、设备要

求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。

本规范适用于研制和生产高通量化学气相沉积设备。

2引用文件

下列文件中对于本标准应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本

适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本标

准。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T5080.7-1986设备可靠性试验

GB5226.1-2019机械电气安全

GB/T13384-2008机电产品包装通用技术条件

GB/Z18509-2016电磁兼容

GB/T17359-2012微束分析能谱法定量分析

GB/T31227-2014原子力显微镜测量溅射薄膜表面粗糙度的方法

3术语和定义

3.1高通量化学气相沉积

区别与传统的化学气相沉积方法，能够一次并行对大量的材料芯片进行快速筛选的技

术，通常一次筛选试验能产出不低于100份多组元高温体系材料样品，节省大量的试验成

本和时间。

4缩略语

下列缩略语适用于本文件。

4.1CVDChemicalVaporDeposition化学气相沉积

一种使含有待淀积薄膜组成成份的一种或多种气态反应物，以热、徽波、高频、激光或其

它方式激活后，在基片表面发生化学反应，淀积所需固体薄膜的生长技术。

4.2MPZModuleprocesschamber工艺腔

用于不同的衬底上沉积薄膜材料的腔体。

5要求