宏盛微半导体AP220N10PT.pdf

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AP220N10PIT

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP220N10P/TusesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=100VI220A

DSD

RDS(ON)2.8mΩ@VGS=10V(Type：2.4mΩ)

Application

DC/DCConverter

LEDBacklighting

PowerManagementSwitches

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP220N10PTO-220-3LAP220N10PXXXYYYY1000

AP220N10TTO-263-3LAP220N10TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage100V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V220A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V163A

IDMPulsedDrainCurrent900A

EASSinglePulseAvalancheEnergy

该用户很懒，什么也没介绍

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