宏盛微半导体AP280N10TLG2.pdf

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AP280N10TLG2

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP280N10TLG2usesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=100VI280A

DSD

RDS(ON)2.6mΩ@VGS=10V(Type：2.0mΩ)

Application

DC/DCConverter

LEDBacklighting

PowerManagementSwitches

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP280N10TLG2TOLLA-8LAP280N10TLG2XXXYYYY2000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage100V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V280A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V183A

IDMPulsedDrainCurrent900A

EASSinglePulseAvalancheEnergy1028mJ

IASAvalancheCurrent

该用户很懒，什么也没介绍

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