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最新电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案--第1页

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电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试

半导体物理课程考试题卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2007年1月14日

注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分；

2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。

课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分

一二三四五六七八九十合计

一、选择填空（含多选题）（2×20=40分）

1、锗的晶格结构和能带结构分别是（C）。

A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型

C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型

2、简并半导体是指（A）的半导体。

A、(E-E)或(E-E)≤0

CFFV

B、(E-E)或(E-E)≥0

CFFV

C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度

D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子

14-315-3

3、在某半导体掺入硼的浓度为10cm,磷为10cm，则该半导体为（B）半导体；

其有效杂质浓度约为（E）。

15-314-3

A.本征，B.n型，C.p型，D.1.1×10cm,E.9×10cm

4、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（B），并且该乘积和

（E、F）有关，而与（C、D）无关。

A、变化量；B、常数；C、杂质浓度；D、杂质类型；E、禁带宽度；F、温度

5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（C）靠近中间

能级E；如果增加掺杂浓度，有可能使得（C）进入（A），实现重掺杂成为简并半

i

导体。

A、E；B、E；C、E；D、E；E、E。

cvFgi

67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C）。

A、变大，变大B、变小，变小

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C、变小，变大D、变大，变小

8、最有效的复合中心能级的位置在（D）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C）

附近，并且常见的是（E）陷阱。

A、E；B、E；C、E；D、E；E、少子；F、多子。

ABFi

9、一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，

其中非平衡载流子将衰减到原来的（C）。

A、1/4B、1/eC、1/e2D、1/2

10、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（A）。

A、散射机构；B、复合机构；

C、杂质浓度梯度；