宏盛微半导体AP25N15NF.pdf

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AP25N15NF

150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP25N15NFusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasa

BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=150VI25A

DSD

RDS(ON)52mΩ@VGS=10V

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP25N15NFPDFN5*6-8LAP25N15NFXXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage150V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent125A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent116A

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent14.5A

I@T=70℃ContinuousDrainCurrent13.8A

IDMPulsedDrainCurrent2

该用户很懒，什么也没介绍

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