宏盛微半导体AP260N15MP.pdf

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AP260N15MP

150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP260N15P/TusesadvancedAPM-SGTⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=150VI260A

DSD

RDS(ON)5.8mΩ@VGS=10V(Type：4.8mΩ)

Application

DC/DCConverter

LEDBacklighting

PowerManagementSwitches

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP260N15PTO-247-3LAP260N15MPXXXYYYY1000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage150V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V260A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V185A

IDMPulsedDrainCurrent720A

EASSinglePulseAvalancheEnergy1764mJ

IASAvalancheCurrent

该用户很懒，什么也没介绍

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