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毫米波技术及芯片详解

［导读］毫米波技术方面，结合目前一些热门的毫米波频段的系统应用，

如毫米波通信、毫米波成像以及毫米波雷达等，对毫米波芯片发展做了重点

介绍。

由于毫米波器件的成本较高，之前主要应用于军事。然而随着高速宽带

无线通信、汽车辅助驾驶、安检、医学检测等应用领域的快速发展，近年来毫

米波在民用领域也得到了广泛的研究和应用。目前，6GHz以下的黄金通信

频段，已经很难得到较宽的连续频谱，严重制约了通信产业的发展。相比

之下，毫米波频段却仍有大量潜在的未被充分利用的频谱资源。因此，毫米

波成为第5代移动通信的研究热点。2015年在WRC2015大会上确定了第5

代移动通信研究备选频段：24.25-27.5GHz、37-40.5GHz、42.5-43.5

GHz、45.5-47GHz、47.2-50.2GHz、50.4-52.6GHz、66-76GHz和

81-86GHz，其中31.8-33.4GHz、40.5-42.5GHz和47-47.2GHz在

满足特定使用条件下允许作为增选频段。各种毫米波的器件、芯片以及应用

都在如火如荼的开发着。相对于微波频段，毫米波有其自身的特点。首

先，毫米波具有更短的工作波长，可以有效减小器件及系统的尺寸;其次，

毫米波有着丰富的频谱资源，可以胜任未来超高速通信的需求。此外，由于

波长短，毫米波用在雷达、成像等方面有着更高的分辨率。到目前为止，

人们对毫米波已开展了大量的研究，各种毫米波系统已得到广泛的应用。随

着第5代移动通信、汽车自动驾驶、安检等民用技术的快速发展，毫米波将

被广泛应用于人们日常生活的方方面面。

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毫米波技术方面，结合目前一些热门的毫米波频段的系统应用，如毫米

波通信、毫米波成像以及毫米波雷达等，对毫米波芯片发展做了重点介绍。

1、毫米波芯片

传统的毫米波单片集成电路主要采用化合物半导体工艺，如砷化镓

(GaAs)、磷化铟(InP)等，其在毫米波频段具有良好的性能，是该频段

的主流集成电路工艺。另一方面，近十几年来硅基(CMOS、SiGe等)毫

米波亚毫米波集成电路也取得了巨大进展。此外，基于氮化镓(GaN)工艺

的大功率高频器件也迅速拓展至毫米波频段。下面将分别进行介绍。

1.1GaAs和InP毫米波芯片

近十几年来，GaAs和InP工艺和器件得到了长足的进步。基于该类工

艺的毫米波器件类型主要有高电子迁移率晶体管(HEMT)、改性高电子迁移率

晶体管(mHEMT)和异质结双极性晶体管(HBT)等。目前GaAs、mHEMT、

InP、HEMT和InPHBT的截止频率(ft)均超过500GHz，最大振荡频

率(fmax)均超过1THz.2015年美国NorthropGrumman公司报道了工作

于0.85THz

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的InPHEMT放大器，2013年美国Teledyne公司与加州理工大学喷气推进

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实验室报道了工作至0.67THz的InPHBT放大器，2012年和2014年德

国0.6THzmHEMT

弗朗霍夫应用固体物理研究所报道了工作频率超过