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（国内标准）集成抗ESD二

极管的SOILIGBTLDMOS

集成抗ESD二极管的SOILIGBT/LDMOS

器件结构及其制作方法初探1

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汪沁，张海鹏，孙玲玲，高明煜，李文钧，吕幼华，刘国华，汪洁

（1.浙江万里学院计算机科学和信息学院，宁波，中国，315100；2.杭州电子科技大学电子信息学院，

杭州，中国，310018；3.杭州电子科技大学电子信息学院ICCAD研究所，杭州，中国，310018）

摘要：为探索和国内VLSI制造工艺兼容的新型SOILIGBT/LDMOS器件和PIC的设计理论和工艺实现方法，首次提出含有

抗ESD二极管的集成SOILIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构，且根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电

路。接着探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法，设计了工艺流程。然后讨论了设计抗ESD二极管关联参数所需考虑的

主要因素，最后，给出了结构实现的工艺控制要求。

关键词：ESD；SOI；LIGBT/LDMOS；器件结构；工艺；PIC；VLSI

1.引言

1985年以来，高频功率半导体器件和它们的集成电路(PIC)已占国际功率半导体产业总产值的3/4

左右，仅其中的功率IC壹项就占约45%的份额。该转变的主要原因是，这些器件或IC能以更高频率

工作，从而更节能、节材，能大幅减小设备体积和重量。尤其是基于绝缘层上硅(SOI)横向IGBT/横向

双扩散（或者双注入）金属氧化物半导体场效应管(LIGBT/LDMOS)的高集成度单片功率系统(PSOC)，

它能把传感器、信号处理电路、接口电路、功率器件和驱动控制电路等集成于单个SOI芯片上，使其

具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流、抗静电(ESD)等情况进行自我保护的智能

功能，其优越性不言而喻。国际专家把它的发展喻为第二次电子学革命[1]。

目前，我国已经掌握了部分IGBT器件的核心设计和制造技术，由于IGBT制造工艺水平和材料

造水平仍和国外有很大差距，器件性能不够理想，生产线因故闲置，以至于国内市场使用的IGBT器

件绝大部分仍需依靠国外进口[2]。然而，我国集成电路制造水平已经达到0.18-0.9m，接近国际先进

水平。之上海新傲公司为首的企业和科研机构，开展新型的集成电路基础材料—SOI材料研究，制造

和销售SOI圆片材料，使我国成为国际上少数SOI圆片生产国之壹。2002年7月，新傲公司开始生产

[3]

4-6英寸注氧隔离SOI圆片，经中美俩国技术检测，性能指标达到国际先进水平，已批量投放市场。

SOI技术以其理想的全介质隔离性能、相对简单的隔离工艺，显著减弱的寄生效应、速度高，功

1国家自然科学基金资助(批准号

耗低、耐高温运行，便于多器件、高密度、小型化和三维智能功率集成，且和互补金属-氧化物-半导

体(CMOS)超大规模集成电路(VLSI)制造工艺兼容而倍受瞩目。因此，我们试图探索和国内VLSI制造

工艺兼容的新型SOILIGBT/LDMOS器件和PIC的设计理论和工艺实现方法。有关具有抗ESD的

SOILIGBT/LDMOS器件的研究至今未见报道。所以首先研究了集成抗ESD二极管的SOILIGBT/LDMOS器

件单元版图结构和截面结构、阻性负载时器件的大信号等效电路、器件的工艺实现方法、部分关键结

构的设计考虑和工艺控制要求等。

2.集成抗ESD二极管的SOILIGBT/LDMOS器件单元结构

SOILIGBT/LDMOS器件含有MOS结构，于封装、运输、装配及使用过程中容易引起千伏之上的高

压静电。如果没有钳位二极管保护，由于栅氧化层很薄而易被这种高压静电击穿造成器件永久失效。

这种由于高压静电引起栅击穿所造成的器件永久失效称为静电损伤(ESD)。此外，和SOILDMOS器件相

比，如果没有栅极抗ESD二极管保护，由于通态时SOILIGBT阳极向漂移区注入的大量少数载流子于

器件关断过程中改变了器件内部的电势分布，引起控制栅区域电场集中，容易导致SOILIGBT器件过

早失效[4]。目前，商业化的S