12、一种处理正电子发射断层扫描PET数据的方法及终端.docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111080734A

(43)申请公布日2020.04.28

(21)申请号201911163391.8

(22)申请日2019.11.25

(71)申请人中国科学院深圳先进技术研究院

地址518000广东省深圳市南山区深圳大

学城学苑大道1068号

(72)发明人高娟胡战利杨永峰张春晖邝忠华王晓辉吴三梁栋

刘新郑海荣

(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司44414

代理人李娟

(51)Int.Cl.

G06T11/00(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图4页

(54)发明名称

一种处理正电子发射断层扫描PET数据的方

法及终端

(57)摘要

CN111080734A本申请适用于计算机技术领域，提供了一种处理正电子发射断层扫描PET数据的方法及终端，包括：获取待处理响应线的两端分别对应的第一坐标和第二坐标；基于所述第一坐标以及所述第二坐标，计算所述待处理响应线在待生成的正弦图中对应的维度坐标；基于所述维度坐标生成所述待处理响应线对应的正弦图。上述方式，终端获取待处理响应线两端分别对应的两个坐标，通过计算得到待处理响应线的物理位置，基于待处理响应线对应的维度坐标生成待处理响应线对应的正弦图。这种生成正弦图的方法，减少了系统矩阵的计算量，提高了响应线的位置信息的准确度，进而提高了生成的正弦图的准确

CN111080734A

CN111080734A权利要求书1/2页

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1.一种处理正电子发射断层扫描PET数据的方法，其特征在于，包括：

获取待处理响应线的两端分别对应的第一坐标和第二坐标；

基于所述第一坐标以及所述第二坐标，计算所述待处理响应线在待生成的正弦图中对应的维度坐标；

基于所述维度坐标生成所述待处理响应线对应的正弦图。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取待处理响应线的两端分别对应的第一坐标和第二坐标包括：

获取PET设备中每个晶体各自对应的晶体坐标以及晶体编号；

获取所述待处理响应线两端分别对应的第一晶体编号和第二晶体编号；

基于每个所述晶体各自对应的晶体坐标以及晶体编号，确定所述第一晶体编号对应的所述第一坐标，以及确定所述第二晶体编号对应的所述第二坐标。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一坐标以及所述第二坐标，计算所述待处理响应线在待生成的正弦图中对应的维度坐标包括：

对所述第一坐标以及所述第二坐标分别添加预设随机数，得到所述第一坐标对应的第一连续坐标和所述第二坐标对应的第二连续坐标；

基于所述第一连续坐标和所述第二连续坐标，计算得到所述维度坐标。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一连续坐标和所述第二连续坐标，计算得到所述维度坐标包括：

基于所述第一连续坐标以及所述第二连续坐标，确定所述待处理响应线对应的目标响应线；

将所述目标响应线投影至预设平面，得到投影响应线；

基于所述第一连续坐标、所述第二连续坐标以及所述投影响应线，计算所述目标响应线对应的第一维度坐标和第二维度坐标；

计算所述目标响应线对应的第三维度坐标和第四维度坐标；

基于所述第一维度坐标、所述第二维度坐标、所述第三维度坐标以及所述第四维度坐标，生成所述维度坐标。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一连续坐标、所述第二连续坐标以及所述投影响应线，计算所述目标响应线对应的第一维度坐标和第二维度坐标包括：

基于所述第一连续坐标以及所述第二连续坐标，计算所述投影响应线到预设原点的垂直距离；

基于所述第一连续坐标以及所述第二连续坐标，计算所述投影响应线与预设水平方向形成的夹角；

基于所述垂直距离以及所述夹角，计算得到所述第一维度坐标以及所述第二维度坐标。

6.如权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述基于所述维度坐标生成所述待处理响应线对应的正弦图之后，还包括：

对所述正弦图中的所述维度坐标对应的响应线进行加权处理。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述正弦图中的所述维度坐标对应的

CN111080734A权利要求书2/2页

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响应线进行加权处理包括：

基于所述第一维度坐标、所述第二维度坐标、所述第三维度坐标以及所述第四维度坐标，计算权重值；

基于所述权重值对所述维度坐标对应的响应线进行加权处理。

8.一种处理正电子发射断