激光和半导体课件.pptVIP

********鐳射和半導體LaserandSemiconductor鐳射技術是二十世紀發展起來的科學技術。一、鐳射的特點1.方向性強、亮度高直徑百分之幾——千分之毫米的範圍內產生幾百萬度的高溫。3.相干長度長，相干性好。一般光源相干長度:0.1——10cm氦氖雷射器達180公里4.傳遞的資訊容量大2.單色性好氦氖雷射器??10-7?第1節鐳射Laser1自發輻射特點：各原子自發輻射的光是獨立的、無關的非相干光。E2E1N2N1h?1.自發輻射電子自發躍遷：二、鐳射的發光原理外層受激電子能級躍遷,原子從較高的能級躍遷到較低的能級的過程中,原子向外發射電磁波——光。原子運動狀態的變化與發光相關聯的情況有三種：2E1E2???完全一樣2.受激輻射頻率,位相,振動方向,傳播方向相同。3.受激吸收（光子數越來越少）上述外來光子也有可能被低能態的電子吸收，使原子從E1?E2。吸收光子的頻率滿足:h?=(E2-E1)外來光子刺激高能態上的一個電子躍遷到低能級，輻射出與外來光子完全相同的光子,二個光子繼續刺激高能態上的電子躍遷形成四個完全相同光子……3三、鐳射的獲得要得到鐳射，就要使受激輻射佔優勢。因此，必須首先使高能態的粒子數大大超過低能態——粒子數反轉(獲得鐳射的必要條件)。根據玻爾茲曼統計分佈率:為保證實現粒子數反轉必須:有激勵能源（光、氣體放電、化學、核能等）有啟動物質（工作物質）(即有合適的能級結構）1.粒子數反轉從E2—E1自發輻射的光，可能引起受激輻射過程，也可能引起吸收過程。原子按能量分佈42.氦氖雷射器（He是輔助物質，Ne是啟動物質)由電子的碰撞,He原子被激發到2s能級——亞穩能級(概率比Ne原子被激發的概率大)。在He的這個亞穩態上聚集較多的原子。由於Ne原子的5s能級與He原子的2s能級的能量幾乎相等,當兩種原子相碰時He原子很容易把能量傳遞給Ne原子，從而使Ne原子被激發到5s能級。正好Ne原子的5s能級是亞穩能級，這樣就可以形成粒子數的反轉。（根據管長而定）53.光學諧振腔氦、氖氣體陰極反射鏡反射鏡陽極管內受激發射的光子,沿管軸來回反射、增強，凡傳播方向偏離管軸方向的逸出管外淘汰。反射鏡鍍有多層膜,適當選擇其厚度,使所需波長得到“相長干涉”後，反射加強。精心設計管長,使所需頻率的波形成駐波（兩端為波節）,形成穩定的振盪得到加強。6（1）產生與維持光的振盪，使光得到加強。（3）使鐳射單色性好。諧振腔的作用（2）使鐳射有極好的方向性——定向。雷射器已被廣泛地應用於科學技術、軍事、藝術、生活及醫學等多個領域。即諧振腔的作用是導向、放大、提高單色性7一、半導體的基本概念半導體的電阻率介於導體和絕緣體之間。既有負電性載流子(電子)又有正電性載流子(空穴hole),其電學性能,可用能帶理論解釋。固體按導電性能的高低可以分為導體半導體絕緣體第2節半導體Semiconductor8當眾多原子結合形成固體後，每個原子周圍的環境和物理因素發生變化。原子的每個能級將分裂成相差很小的一組能級——能帶。滿帶:能帶排滿電子—不導電價帶(導帶):能帶未排滿電子——能導電空帶(導帶)：能帶未排電子——能導電禁帶:不能排電子1.有關能帶被佔據情況二、能帶理論電子可進入空能級形成電流——導電9一個電子只能處在某個能帶中的某一能級上。它們的導電性能不同，是因為它們的能帶結構不同。2.導體、半導體、絕緣體的能帶結構滿帶導體：其能帶結構為滿帶與空帶之間沒有禁帶。在