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VD;当外加电压发生变化时，空间电荷的宽度要相应地随之改变，即存储的电荷量要随之变化，如同电容充放电。
二极管的两极之间有电容，它由两部分组成：;平行板电容——平行板宽度是一定的;A势垒电容CB;a.当PN结正向偏置电压升高时;b.当PN结正向偏置电压降低时;势垒电容CB
PN结交界处两端电压改变时，会引起积累在PN结的空间电荷浓度发生改变，这类似于电容的充放电现象，从而显示出PN结的电容效应，称为势垒电容。;势垒电容的充电过程：
结论：正偏V加大→空间电荷区变窄→极板距离减小→CB↑
反偏V加大→空间电荷区变宽→极板距离增大→CB↓;B扩散电容CD;PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子（非平衡少子），堆积在P区内紧靠PN结的附近，到远离交界面处，形成一定的浓度梯度分布曲线。电压增大，正向（扩散）电流增大。;△U变化时，P区积累的非平衡少子浓度分布图;PN结正向偏置电压越高，积累的非平衡少子越多。
这种电容效应用扩散电容CD表征。;小结：;变容二极管的符号及C-U特性曲线;变容二极管及其应用示例;2.2.3金属与半导体的接触;半导体的功函数：?为电子的亲和能，它表示要使半导体
导带底部的电子逸出体外所需要的最小能量。
半导体的功函数：
Ws=Eo-(EF)s
;（2）整流接触;半导体的电势高于金属电势→能带靠近金属一侧向上弯曲;金属—半导体接触：
能带向上弯曲，形成表面势垒，是高阻区域，称n型阻挡层
处于平衡态的阻挡层中没有净电流通过。;WmWs;V=0;整流理论（阻挡层）：;N逆向偏置：;正向偏置下，由金属流向半导体的电子电流一定；因电位降低而增加，由半导体流向金属的电子电流因电位降低而增加。故有金属→半导体电流。;VD;肖特基二极管;不同：
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