含裂纹挠曲电半导体力-电-载流子耦合场的数值研究.pdf

华中科技大学硕士学位论文

摘要

挠曲电效应是指由应变梯度或非均匀变形引起的电极化现象，该效应广泛存在

于半导体、固体电介质、液体晶体和生物膜中。挠曲电半导体材料(例如硅、锗和氧

化锌等）多为脆性材料，在器件制备过程中易产生裂纹，研究含裂纹挠曲电半导体的

力-电-载流子耦合特性有助于了解挠曲电效应对半导体材料断裂性能的影响。基于

以上研究背景，本文开展了如下的研究工作：

1.基于Tian等人提出的挠曲电半导体理论以及相关的高斯配点有限元方法，推

导了研究挠曲电半导体力-电-载流子耦合特性的有限元方程。该有限元方法中，通过

高斯配点法解决了采用C连续性函数作为插值函数表示应变梯度和电场梯度的难点。

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2.针对受集中力作用的n型挠曲电半导体悬臂梁，基于欧拉-伯努利梁假设和挠

曲电半导体理论，利用虚功原理推导了挠曲电半导体悬臂梁的耦合控制方程和边界

条件。通过对比挠曲电半导体悬臂梁的挠度、电势、电场和电子浓度变化量的理论解

和数值解，证明了高斯配点法有限元的有效性。

3.采用高斯配点法有限元研究了纳米尺度含单裂纹和双裂纹挠曲电半导体裂纹

前缘附近的物理场分布，分析了挠曲电系数、初始电子浓度和外加载荷对含裂纹挠曲

电半导体的力-电-载流子耦合特性的影响。

综上所述，本文利用基于一种高斯配点有限元方法模拟了挠曲电半导体中的力-

电-载流子耦合特性，研究了裂纹尖端附近挠曲电场对载流子迁移的变化规律，证明

了高斯配点有限元法在模拟挠曲电半导体材料中的有效性。

关键词：挠曲电半导体；力-电-载流子耦合；挠曲电效应；有限元法；裂纹

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华中科技大学硕士学位论文

Abstract

Flexoelectricityreferstothephenomenonofelectricpolarizationinducedbystrain

gradientornon-uniformdeformation,itwidelyexistsinsemiconductors,soliddielectrics,

liquidcrystalsandbiofilms.Theflexoelectricsemiconductormaterials,suchasSilicon,

GermaniumandZincOxide,etc,arebrittlematerials,whichareeasyfortheinitiationof

cracksinthefabricationprocessofdevices.Thestudyofthemechanical-electrical-carrier

couplingcharacteristicsofflexoelectricsemiconductorswithcrackswillbehelpfulfor

understandingtheinfluenceofflexoelectriceffectonthefracturepropertiesof

semiconductormaterials.Basedontheabovebackground,thisthesisworkcarriesoutthe

followingresearchwork:

1.BasedontheflexoelectricsemiconductortheoryandtherelatedGaussian

collocationfiniteelementmethodproposedbyTianetal.,thefiniteelementequationfor

studyingthemechanical-electric