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集成电路与制造工艺;课程概述;第一章:集成电路概述;集成电路的分类;集成电路的基本结构;摩尔定律;集成电路产业链;第二章:半导体材料基础;掺杂;半导体的导电性;PN结;第三章:晶圆制备;单晶硅提纯技术;晶向与晶面;外延生长;第四章:氧化工艺;氧化动力学;氧化层的性质与应用;局部氧化;第五章:光刻工艺;光刻工艺流程;光刻分辨率;光刻对准;第六章:刻蚀工艺;刻蚀的选择性与各向异性;反应离子刻蚀(RIE);深硅刻蚀;第七章:薄膜沉积;溅射沉积;化学气相沉积;原子层沉积;第八章:离子注入;离子注入的损伤与退火;离子注入的应用;第九章:扩散;扩散工艺;杂质分布剖面;第十章:化学机械抛光(CMP);CMP的应用;CMP工艺控制;第十一章:金属化与互连;多层金属互连;电迁移效应;第十二章:MOSFET器件;MOSFET的阈值电压;短沟道效应;高k栅介质与金属栅;第十三章:先进CMOS工艺;FinFET器件;SOI技术;应变工程;第十四章:存储器技术;SRAM单元;DRAM单元;闪存技术;第十五章:封装技术;先进封装技术;封装可靠性;第十六章:测试与良率;课程总结
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