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元件静电敏感度
元器件静电敏感度等级
静电敏感器件静电敏感度
静电敏感度等
级特一级特二级一级二级三级
500V-
静电耐受能力0V-500V1000V1000V-2000V2000V-4000V4000V-8000V
器件、
光发送接CMOS集成二极管、三极阻容器件、开
代表器件GaAsTTL集成电路
受器件、电路管、继电器关、变压器
管芯
一般规定，静电损伤电压不小于16000V的为静电不敏感器件，小于16000V的为静电敏感器
件。
静电敏感度分级：
1级：不大于1999V
2级：2000～3999V
3级：4000～15999V
ESDS产品及其组件应有
ESD保护电路，其最低要求应耐
ESD电压值为：
组件：不低于2000V
产品：不低于4000V
电子元器件静电敏感度的分级：
1级（≤1999V）ESDS元器件
a．微波器件（萧特基二极管，点接触二极管和f1GHZ的检波二极管）；
b．MOS场效应晶体管（MOSFET）；
c．结型场效应晶体管（JFET）；
d．声表面波器件（SAW）；
e．电荷藕合器件（CCD）；
f．精密稳压二极管（线性或负载电压调整率小于0.5％）；
g．运算放大器（OPAMP）；
h．集成电路（IC）；
i．混合电路（由1级ESDS元器件组成）；
j．特高速集成电路（VHSIC）；
k．薄膜电阻器
l．可控硅整流器（Pt≤100mW，Ic100mA）。
2级（2000～3999V）ESDS器件：
a．MOS场效应晶体管；
b．结型场效应晶体管；
c．运算放大器；
d．集成电路；
e．特高速效应晶体管；
f．精密电阻网络（RZ型）；
g．混合电路（2级ESDS元器件组成）；
h．低功率双极型晶体管（Pt≤100mW，Ic100mA）。
3级（4000～15999V）ESDS元器件：
a．MOS场效应晶体管；
b．结型场效应晶体管；
c．运算放大器；
d．集成电路；
e．特高速集成电路；
f．ESDS1级或2级不包括的所有其他电子元器件；
g．小信号二极管（P1W，I1A）；
h．一般硅整流器；
i．可控硅整流器（I0.175A）；
j．小功率双极型晶体管（350mWP100mW和400mWP100mW）；
k．光电器件（光电二极管、光电晶体管、光电耦合器）；
l．片状电阻器；
m．混合电路（3级ESDS元器件组成）；
n．压电晶体。
1.1易受损伤的器件和部位结构上有下述特点的器件易受静电损伤：芯片尺寸小、热容量小、小
信号器件、高频器件、微细金属化、浅EB结、薄栅氧化层等。
器件易受损伤的部位有：
输入电路、输出电路的高阻部分，扩散区边缘，金属化区边缘等区域。
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