半导体物理习题与答案.docVIP

第一篇习题半导体中的电子状态

1-1、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。

1-2、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。

1-3、试指出空穴的主要特征。

1-4、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。

1-5、某一维晶体的电子能带为

E(k)E010.1cos(ka)0.3sin(ka)

-11

其中E0=3eV，晶格常数a=5х10m。求：

（1）能带宽度；

（2）能带底和能带顶的有效质量。

升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。

1-1、解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，

则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与

允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。

因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。

1-2、解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运

动状态，是准粒子。主要特征如下：

A、荷正电：+q；

B、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）；

C、EP=-En

D、mP*=-mn*。

1-3、解：

（1）Ge、Si:

a）Eg(Si：0K)=1.21eV；Eg(Ge：0K)=1.170eV；

b）间接能隙结构

c）禁带宽度Eg随温度增加而减小；

（2）GaAs：

a）Eg（300K）=1.428eV，Eg(0K)=1.522eV；

b）直接能隙结构；

-4

c）Eg负温度系数特性：dEg/dT=-3.95×10eV/K；

1-4、解：

（1）由题意得：

dE

0.1aEsin(ka)3cos(ka)

dk0

dE2

0.1a2Ecos(ka)3sin(ka)

d2k0

dE1

令0,得tg（ka）

dk3

oo

k1a18.4349,k2a198.4349

dE2

当ka18.4349o,0.1a2E(cos18.43493sin18.4349)2.2810400,

1d2k0

对应能带极小值；

dE2

当ka198.4349o,0.1a2E(cos198.43493sin198.4349)2.2810400,

2d2k0

对应能带极大值。

则能带宽度EEmaxEmin1.1384eV

（2）

11



240

*