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floEFD中LED散热的相关说明
LED（发光二极管）功能允许用户使用一个基于双热阻模型和灯具详细模型（RC网
络）的简化封装模型来模拟一个发光二极管(LED)。可以从工程数据库中选择预
定义的LED，也可以通过指定参数来创建用户定义的LED。
LED把电能转化为光能的效率取决于其工作条件。结温(T)和外加正向电流
(I)。J
F
LED结上的发热量等于LED的总输入电能(V·I)减去LED的发光能量（Φ
-发出的总辐射通量，也表示为P）：FFe
opt
P=V·I-Φ。
HFFe
此发热量和LED的热阻(R)一起决定了LED的结温：
th
T=P·R+T。
JHthamb
封装结合散热环境间的热阻可用下式表示：
1/R=1/R+1/R，
thjbjt
其中，
R是从结到封装底部的热阻，例如，从结到封装贴近散热器的外表面的总
jb
热阻；
R是从结到封装顶部的热阻，例如，从结到封装顶部外表面的总热阻
jt
(RR)。默认情况下，将其设置为50R。
jtjbjb
在FloEFD中，壳使用两种模型来模拟LED元件内部的传热过程：
其中较简单的模型是基于双热阻模型以及元件的精确发热量(P)。此模
型仅用于预测结温。H
另一种更精确的模型使用LED的准确正向电流(I)和由T3Ster®
F
TeraLED®测出的光功率及散热特征参数来建模。并有以下假定：
正向电压取决于正向电流和结温大小，并和结温呈线性关系。
V=V-S·(T-T)，
FF0VFJ0
发光能量和“热流明”也取决于正向电流和结温大小，并和结温呈线性关
系。
Φ=Φ-S·(T-T)，
ee0ΦeJ0
Φ=Φ-S·(T-T)。
VV0ΦVJ0
可使用从T3Ster®TeraLED®导入的以下数据，通过此模型预测结温和光通量：
C(R)是RC网络中测得的热容值，它和从结到散热器的路径中的热阻
jbjb
值（从结到底部，Rjb-Cjb）是对应的；
V(I)是正向电流I在参考温度T时产生的正向电。
F0FF0
S(I)是电压灵敏度（当正向电流I为常数时，正向电V相对于温
VFFF
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