无结纳米线晶体管：电学模型构建与界面陷阱效应的深度剖析.docx

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2025-04-02 发布于上海
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无结纳米线晶体管：电学模型构建与界面陷阱效应的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着半导体技术的迅猛发展，晶体管作为集成电路的核心元件，其性能提升一直是推动电子信息技术进步的关键。传统的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在尺寸不断缩小的过程中，面临着诸多严峻挑战。当特征尺寸进入纳米级范围，尤其是小于10nm时，短沟道效应（SCE）愈发显著，导致器件的栅控能力大幅下降，阈值电压难以精确控制，漏致势垒降低（DIBL）等问题严重影响了器件的性能和可靠性。同时，在如此微小的尺度下，精确制造具有陡峭浓度梯度的PN结变得异常困难，原子扩散和统计分布的不确定性使得工艺复杂度和成