网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

功率放大电路的安全运行.pptVIP

  1. 1、本文档共10页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

21静态时输出电容上电压为VCC/2,LM386的最大不失真输出电压的峰一峰值约为电源电压VCC。设负载电阻为RL,最大输出功率表达式为当VCC=16V,RL=32?时,Pom?1W,Uim?283mV。此时的输入电压有效值的表达式为模拟电子技术基础课件制作:郑恒秋在功率放大电路中,功放管既要流过大电流,又要承受高电压。只有功放管不超过其极限值,电路才能正常工作。因此,所谓功率放大电路的安全运行,实际上就是要保证功放管的安全工作。在实用电路中,常加保护措施,以防止功放管过电压、过电流和过功耗。功放管的二次击穿功放管的散热问题9.3功率放大电路的安全运行二次击穿现象1在实际工作中,常发现功率晶体管的功耗并未超过允许的PCM值,管身也并不烫,但功率晶体管却突然失效或者性能显著下降。这种损坏的的原因,不少是由于二次击穿所造成的。那么什么叫二次击穿呢?它产生的原因又是什么呢?应当如何防止呢?这些问题很值得研究和讨论。2从晶体管的输出特性可知,对于某一条输出特性曲线,当c~e之间电压增大到一定数值时,晶体管将产生击穿现象;而且,IB愈大,击穿电压愈低,称这种击穿为“一次击穿”。3一、功放管的二次击穿晶体管在一次击穿后,集电极电流会骤然增大,若不加以限制,则晶体管的工作点变化到临界点A时,工作点将以毫秒甚至微秒级的高速度从A点到B点,此时电流猛增,而管压降却减小,如下图所示,称为“二次击穿”。晶体管经过二次击穿后,性能将明显下降,甚至造成永久性损坏。IB不同时二次击穿的临界点不同,将它们连接起来,便得到二次击穿临界曲线,简称为S/B曲线,如下图所示。二次击穿是怎样产生的产生二次击穿的原因至今尚不清楚。一般说来,二次击穿是一种与电流、电压、功率和结温都有关系的效应。它的物理过程多数人认为是由于流过晶体管结面的电流不均匀,造成结面局部高温(称为热斑),因而产生热击穿所致。这与晶体管的制造工艺有关。如何防止二次击穿晶体管的二次击穿特性对功率管,特别是外延型功率管,在运用性能的恶化和损坏方面起着重要影响。为了保证功率管安全工作,必须考虑二次击穿的因素。因此,功率管的安全工作区,不仅受集电极允许的最大电流ICM、集电极允许的最大电压V(BR)CE和集电极允许的最大功耗PCM所限制,而且还受二次击穿临界曲线所限制,其安全工作区如下图虚线内所示。显然,考虑了二次击穿以后,功率晶体管的安全工作范围变小了。从二次击穿产生的过程可知,防止晶体管的一次击穿,并限制其集电极电流,就可避免二次击穿。功放管损坏的重要原因是其实际耗散功率超过额定数值PCM。而晶体管的耗散功率取决于管子内部的PN结(主要是集电结)温度Tj,当Tj超过允许值后,集电极电流将急剧增大而烧坏管子。01硅管的结温允许值为120~180℃,锗管的结温允许值为85℃左右。耗散功率等于结温在允许值时集电极电流与管压降之积。02管子的功耗愈大,结温愈高。因而改善功放管的散热条件,可以在同样的结温下提高集电极最大耗散功率PCM,也就可以提高输出功率。03二、功放管的散热问题热阻的概念01热的传导路径,称为热路。阻碍热传导的阻力称为热阻。真空不易传热,即热阻大;金属的传热性好,即热阻小。02在晶体管中,管子上的电压降大部分都降在集电结上,它和流过集电结的电流造成集电极功率损耗,使管子发热。这个热量要从管芯向外传递。设结温为Tj,环境温度为Ta,则温差?T(=Tj-Ta)与集电结耗散功率PC成正比,比例系数称为热阻尼,即03二、功放管的散热问题可见,热阻尼是传递单位功率时所产生的温差,单位为℃/W。RT愈大,表明相同温差下能够散发的热能愈小。换言之,RT愈大,表明同样的功耗下结温愈高。可见,热阻是衡量晶体管散热能力的一个重要参数。01式中,若管子的型号确定,则TjM也就确定,Ta常以25℃为基准,因而要想增大PCM,必须减小RT。03当晶体管结温达到最大允许值TjM时,集电结功耗也达到PCM,若环境温度为Ta,则02热阻的估算以晶体管为例,管芯(J)向环境(A)散热的途径有两条:管芯(J)到外壳(C),再经外壳到环境;或者管芯(J)到外壳(C),再经散热片(S)到环境。即J→C→A或J→C→S→A,如下图所示。设J~C间热阻为RjC,C~A间热阻为RCa,C~S间热阻为RCS,S~A间热阻为Rsa,则反映晶体管散热情况的热阻模型如下图所示。01在小功率放大电路中,放大管一般不加散热器,故晶体管的等效热阻为RT=RjC+Rca在大功率放大电路中,功放管一般均要加散热器,且RCS+R

文档评论(0)

junjun37473 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档