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第二章化合物半导体场效应晶体管;2.1引言
2.1.1FET的工作原理;2.1.2FET的类型;;2.1.3材料的根本特性;2.2肖特基势垒和欧姆接触;;电子穿越势垒的方式;根本方程;;2.3GaAsMESFET
2.3.1MESFET根底;根本电导方程;夹断模型;;;2.3.2改进的MESFETI-V模型;;沟道电子密度;饱和电流表达式;线性区与饱和区电流的连续;MESFET漏极电流－电压特性;2.3.3MESFET的C-V模型;;;建模方法;;;2.3.4SPICE中的MESFET模型;2.4异质结场效应晶体管HFET
2.4.1HFET根底;HFET结构;;;制备HFET的材料系统;HFET的电荷控制模型;2.4.2HFETI-V模型;各个材料系统的跨导;HFETC-V模型;2.4.4SPICEHFET模型;;2.5栅极漏电流;2.6新型化合物半导体FET
2.6.1异维器件;异维肖特基二极管;;新型二维金属半导体场效应晶体管;比较常规HFET,2DMESFET和共轴MESFET;现有2DMESFET;肖特基共振隧穿晶体管;2.6.2宽带隙半导体FET;AlGaN/GaNHFET器件
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