化工单元操作任务四结晶.pptVIP

结晶过程结晶过程是复杂的，晶体的大小不一，形状各异，形成晶簇等现象，因此有时需要重结晶。结晶水若物质结晶时有水合作用，则所得晶体中有一定数量的溶剂分子，成为结晶水。结晶水的含量不仅影响晶体的形状，也影响晶体的性质。通常只有同类的分子或离子才能进行有规律的排列，故结晶过程有高度的选择性。通过结晶溶液中的大部分杂质会留在母液中，再通过过滤、洗涤即可得到纯度高的晶体。二、结晶过程的相平衡1.相平衡与溶解度在一定温度下，将溶液放入溶剂中，由于分子的热运动，必然发生两个过程：溶解度：一定条件下，溶质在某溶剂中可以溶解的最大数量成为溶质的溶解度。常用的表示方法：物质的沉积：溶质分子从液体中扩散到固体表面进行沉积。固体的溶解：溶质分子扩散进入液体内部；质量分数—kg溶质/100kg溶剂体积质量浓度—kg/L溶解度曲线几种无机物在水中的溶解度曲线溶解度曲线有三种类型：①随温度升高而明显增大;②受温度的影响不显著;③溶解度曲线有折点，主要是由于物质的组成有所改变;溶解度曲线对操作的指导意义：(1)对于溶解度曲线随温度变化敏感的物质，可选用变温方法结晶分离；(2)溶解度随温度变化缓慢的物质慢，可采用移除一部分溶剂的方法分离。２.溶液的过饱和与介稳区溶液的过饱和与超溶解度曲线过饱和溶液：溶质浓度超过该条件下的溶解度时，该溶液称为--。过饱和曲线可分成三个区：稳定区不稳区介稳区溶解度曲线以上的区域溶解度曲线以下的区域过饱和区※结晶操作通常都在介稳区中进行※溶质只有在过饱和溶液中才能析出过饱和现象的表示方法：式中：—溶度差过饱和度，Kg溶质/100Kg溶剂；C—操作温度下的过饱和浓度，Kg溶质/100Kg溶剂；C*—操作温度下的溶解度，Kg溶质/100Kg溶剂。式中：△t—温度差过饱和度，K；t*—该溶液在饱和状态时所对应的温度，K；t—该溶液经冷却达到过饱和状态时的温度，K。三、结晶过程的速率1.晶核的形成晶核－过饱和溶液中最初生成的微小晶粒，晶体成长过程中必不可少的。成核方式初级成核二次成核均相初级成核非均相初级成核晶胚－面晶结合成按一定规律排列的细小晶体。溶液达到过饱和状态是结晶的前提；过饱和度是结晶的推动力。晶体的成核方式晶核的生成有三种形式：即初级均相成核、初级非均相成核及二次成核。在高过饱和度下，溶液自发地生成晶核的过程，称为初级均相成核；溶液在外来物（如大气中的微尘）的诱导下生成晶核的过程，称为初级非均相成核；而在含有溶质晶体的溶液中的成核过程，称为二次成核。二次成核也属于非均相成核过程，它是在晶体之间或晶体与其他固体（器壁、搅拌器等）碰撞时所产生的微小晶粒的诱导下发生的。2.晶体的成长扩散理论晶体的成长过程由三个步骤组成的：溶质由溶液扩散到晶体表面附近的静止液层；溶质穿过静止液层后达到晶体表面，生长在晶体表面上，晶体增大，放出结晶热；释放出的结晶热再靠扩散传递到溶液的主体去。第三节影响结晶操作的因素结晶过程中的两种速率晶核形成的速率晶体的成长速率大量晶核，产品小而多这两种速率的大小也影响到产品本身的内部质量，如形成晶簇。∴影响晶核形成速率和晶体成长速率的因素也就是影响结晶操作的因素,下面讨论这些影响因素。晶核形成的速率晶体的成长速率＞＞晶核形成的速率晶体的成长速率＜＜产品颗粒大而均匀2．冷却（蒸发）速度的影响实现溶液过饱和的方法冷却蒸发化学反应快速冷却或蒸发大量细小的晶体缓慢冷却或蒸发大而均匀的晶体3．晶种的影响工业生产中的结晶操作一般都是在人为加入晶种的情况下进行的。晶种的主要作用是控制晶核的数量以得到粒度大而均匀的结晶产品。1．过饱和度的影响：适宜的过饱和度一般由实验测定过饱和度值应大至使结晶操作控制在介稳区内，又保持较高的晶体生长速率，使结晶高产而优质。最常用5．搅拌的影响搅拌的作用:①加速溶液的热传导，加快生产过程。②加速溶质扩散过程的速率，有利于晶体成长。③使溶液的温度均匀，防止溶液局部浓度不均，结垢等。④使晶核散布均匀，防止晶体粘连在一起形成晶簇，降低产品质量。使用搅拌器时应注意：4．杂质的影响一般对晶核的形成有抑制作用对晶体的成长速率的影响较为复杂，有的杂质能抑制晶体的成长，有的能促进成长。一、选择适宜型式的搅拌器；二、控制好搅拌速度第四节结晶器（一）冷却结晶器（不