半导体二极管及其应用课件.pptVIP

4)參數計算(1)整流電壓平均值Uo(2)整流電流平值Io(負載電流的平均值)(3)流過每管電流平均值IDID=IO/2=0.45U2/RL(4)每管承受的最高反向電壓UDRM(5)變壓器副邊電流有效值II2=U2/RL=IO/0.9=1.11IOIO=UO/RL=0.9U2/RL例1：單相橋式整流電路，已知交流電網電壓為220V，負載電阻RL=50?，負載電壓Uo=110V，試求變壓器的變比和容量，並選擇二極體。I=1.11Io=2?1.11=2.2A變壓器副邊電流有效值變壓器容量S=UI=122?2.2=207.8VA變壓器副邊電壓U?122V可選用二極體2CZ11C，其最大整流電流為1A，反向工作峰值電壓為300V。例2：試分析圖示橋式整流電路中的二極體D2或D4斷開時負載電壓的波形。如果D2或D4接反，後果如何？如果D2或D4因擊穿或燒壞而短路，後果又如何？uo+_~u+_RLD2D4D1D3解：當D2或D4斷開後電路為單相半波整流電路。正半周時，D1和D3導通，負載中有電流過，負載電壓uo=u；負半周時，D1和D3截止，負載中無電流通過，負載兩端無電壓，uo=0。uouπ2π3π4πtwtwπ2π3π4πoo如果D2或D4接反則正半周時，二極體D1、D4或D2、D3導通，電流經D1、D4或D2、D3而造成電源短路，電流很大，因此變壓器及D1、D4或D2、D3將被燒壞。如果D2或D4因擊穿燒壞而短路則正半周時，情況與D2或D4接反類似，電源及D1或D3也將因電流過大而燒壞。uo+_~u+_RLD2D4D1D31.3.2濾波器交流電壓經整流電路整流後輸出的是脈動直流，其中既有直流成份又有交流成份。濾波原理：濾波電路利用儲能元件電容兩端的電壓(或通過電感中的電流)不能突變的特性,濾掉整流電路輸出電壓中的交流成份，保留其直流成份，達到平滑輸出電壓波形的目的。方法：將電容與負載RL並聯(或將電感與負載RL串聯)。1.電容濾波器

1)電路結構2)工作原理uuC時，二極體導通，電源在給負載RL供電的同時也給電容充電，uC增加，uo=uC。uuC時，二極體截止，電容通過負載RL放電，uC按指數規律下降，uo=uC。+Cici–++–aDuoubRLio=uC3)工作波形二極體承受的最高反向電壓為。動畫uou?tO?tO半導體二極體及其應用學會用工程觀點分析問題，就是根據實際情況，對器件的數學模型和電路的工作條件進行合理的近似，以便用簡便的分析方法獲得具有實際意義的結果。對電路進行分析計算時，只要能滿足技術指標，就不要過分追究精確的數值。器件是非線性的、特性有分散性、RC的值有誤差、工程上允許一定的誤差、採用合理估算的方法。對於元器件，重點放在特性、參數、技術指標和正確使用方法，不要過分追究其內部機理。討論器件的目的在於應用。1.1PN結及其單向導電性1.半導體的導電特性：(可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻)。摻雜性：往純淨的半導體中摻入某些雜質，導電能力明顯改變(可做成各種不同用途的半導體器件，如二極體、三極管和晶閘管等）。光敏性：當受到光照時，導電能力明顯變化(可做成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等)。熱敏性：當環境溫度升高時，導電能力顯著增強1.1.1本征半導體完全純淨的、具有晶體結構的半導體，稱為本征半導體。晶體中原子的排列方式矽單晶中的共價健結構共價健共價鍵中的兩個電子，稱為價電子。SiSiSiSi價電子SiSiSiSi價電子價電子在獲得一定能量（溫度升高或受光照）後，即可掙脫原子核的束縛，成為自由電子（帶負電），同時共價鍵中留下一個空位，稱為空穴（帶正電）。本征半導體的導電機理這一現象稱為本征激發。空穴溫度愈高，晶體中產生的自由電子便愈多。自由電子在外電場的作用