PN结与二极管课件.pptVIP

1.PN結的形成漂移運動：載流子在電場作用下的定向運動。擴散運動：濃度差引起的非平衡載流子的運動。1)載流子的兩種運動將P型半導體與N型半導體製作在同一塊矽片上，在它們的交界面就形成PN結1.2.1PN結及其單向導電特性1

多子擴散形成空間電荷區建立內電場少子漂移方向相反動態平衡Ij=02）PN結內電場的形成2

2.PN結的單向導電性1)PN結外加正向電壓時處於導通狀態外電場與內電場的方向相反，空間電荷區變窄，內電場被削弱，多子擴散得到加強，少子漂移將被削弱，擴散電流大大超過漂移電流，最後形成較大的正向電流。?3

2)PN結外加反向電壓時處於截止狀態外電場與內電場方向一致，空間電荷區變寬內電場增強，不利於多子的擴散，有利於少子的漂移。在電路中形成了基於少子漂移的反向電流。由於少子數量很少，因此反向電流很小。結論：PN結具有單向導電性，即正偏導通，反偏截止。4

1)PN結的電流方程令:uT=kT/q稱溫度電壓當量T=300K時，uT=26mV3.PN結（二極體）的伏安特性5

2)PN結的正向伏安特性u0，正向特性:uUT,指數特性u0，反向特性:u-UT，i≈-ISuUBR，擊穿特性:齊納擊穿、雪崩擊穿3)PN結的反向擊穿特性6

4)PN結的電容效應1）勢壘電容:Cb7

2)擴散電容:CdCj=Cb+Cd8

1.二極體的結構及類型1）二極體的外形PN結+管殼+引線1.2.2二極體及其伏安特性9

陰極引線陽極引線二氧化矽保護層P型矽N型矽(c)平面型鋁合金小球N型矽陽極引線PN結金銻合金底座陰極引線(b)面接觸型陰極陽極(d)符號D(a)點接觸型2）二極體的內部結構與符號10

按PN結結構分：有點接觸型和麵接觸型二極體。點接觸型管子中不允許通過較大的電流，因結電容小，可在高頻下工作。面接觸型二極體PN結的面積大，允許流過的電流大，但只能在較低頻率下工作。按用途劃分：有整流二極體、檢波二極體、穩壓二極體、開關二極體、發光二極體、變容二極體等。按半導體材料分：有矽二極體、鍺二極體等。3）二極體的類型11

正向特性矽管的伏安特性604020–0.002–0.00400.51.0–25–50I/mAU/V擊穿電壓U(BR)在二極體的兩端加上電壓，測量流過管子的電流，則I=f(U)之間的關係曲線為伏安特性。–50I/mAU/V0.20.4–2551015–0.01–0.02鍺管的伏安特性02.二極體的伏安特性12

1）正向特性當正向電壓比較小時，正向電流很小，幾乎為零。相應的電壓叫死區電壓。範圍稱死區。死區電壓與材料和溫度有關，矽管約0.5V左右，鍺管約0.1V左右。正向特性當正向電壓超過死區電壓後，隨著電壓的升高，正向電流迅速增大40.8I/mAU/V13

2）反向特性–0.02–0.040–25–50I/mAU/V反向特性當電壓超過零點幾伏後，反向電流不隨電壓增加而增大，即飽和；二極體加反向電壓，反向電流很小；如果反向電壓繼續升高，大到一定數值時，反向電流會突然增大；反向飽和電流這種現象稱擊穿，對應電壓叫反向擊穿電壓。擊穿並不意味管子損壞，若控制擊穿電流，電壓降低後，還可恢復正常。擊穿電壓U(BR)14

3）伏安特性運算式(二極體方程)IS：反向飽和電流UT：溫度的電壓當量在常溫(300K)下，UT?26mV二極體加反向電壓，即UD0，且|UD|UT，則I?-IS。二極體加正向電壓，即UD0，且UDUT，則，可得，說明電流I與電壓UD基本上成指數關係。15

4)結論：二極體具有單向導電性。加正向電壓時導通，呈現很小的正向電阻，如同開關閉合；加反向電壓時截止，呈現很大的反向電阻，如同開關斷開。從二極體伏安特性曲線可以看出，二極體的電壓與電流變化不呈線性關係，其內阻不是常數，所以二極體屬於非線性器件。16

1.2.3二極體的主要參數1）最大整流電流IF二極體長期運行時，允許通過的最大正向平均電流。2）最高反向工作電壓UR工作時允許加在二極體兩端的反向電壓值。通常將擊穿電壓UBR的一半定義為UR。3）反向電流IR通常希望IR值愈小愈好。4）最高工作頻率fMfM值主要決定於PN結結電容的大小。結電容愈大，二極體允