模拟电路第一章-二极管.pptVIP

一、PN结的形成利用掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面处就形成了PN结。1.1.3PN结N型半导体P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++PN结－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++物质因浓度差会产生扩散运动N区自由电子浓度远高于P区。P区空穴浓度远高于N区。自由电子空穴空间电荷区，也称耗尽层。扩散的结果是产生空间电荷区。－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++内电场E+-在电场力作用下，载流子产生的运动称为漂移运动自由电子空穴电位VV0最终扩散和漂移这一对相反的运动达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。总结多子的扩散运动01空间电荷区形成内电场02内电场促使少子漂移03内电场阻止多子扩散04因浓度差05由杂质离子形成空间电荷区06达到平衡，空间电荷区宽度固定不变07二、PN结的单向导电性－－－－++++REPN结正向偏置内电场外电场变薄PN+_外加电源将使扩散运动源源不断的进行，形成正向电流，PN结导通PN结反向偏置－－－－++++内电场外电场变厚NP+_内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。PN结截止REPN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流，PN结截止。总结添加标题添加标题添加标题添加标题三、PN结VCR方程PN结两端的外电压u与流过PN结的电流i之间的关系IS：反向饱和电流UT:温度电压当量，=kT/q，一般取值为26mv；k为玻耳曼常数T为热力学温度q为电子电荷量ABC四、PN结的电容效应PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。1.势垒电容PN结外加的正向电压变化时，在扩散过程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！2.扩散电容结电容：NP++++++++++++++++----------------1.2半导体二极管外壳封装阴极引线阳极引线半导体二极管的结构类型按结构分类点接触型面接触型平面型(1)点接触型二极管阳极引线阴极引线PN结面积小不能通过较大的电流结电容小工作频率高适用于高频电路和小功率整流阳极引线阴极引线(2)面接触型二极管PN结面积大能通过较大的电流结电容大能在低频下工作一般仅作为整流管使用合金法PN结面积可大可小阳极引线阴极引线视结面积的大小用于大功率整流和开关电路中二极管的电路符号阳极阴极二端无源元件(3)平面型二极管扩散法+-ui半导体二极管图片1.2.2半导体二极管的伏安特性曲线uiPN结二极管近似分析时：(1)二极管和PN结伏安特性的区别二极管存在半导体体电阻和引线电阻二极管表面漏电流单向导电性ui几点说明二极管的正向特性阳极阴极+-uu＞00＜u＜UonUon开启电压正向电流为零u＞Uon开始出现正向电流，并按指数规律增长。二极管的反向特性阳极阴极+-uu0U(BR)＜u＜0反向电流很小u＞U(BR)反向电流急剧增加uiIS反向饱和电流U(BR)反向击穿电压基本不随反向电压的变化而变化二极管发生击穿(2)不同材料二极管伏安特性的区别u/Vi锗材料硅材料硅材料PN结平