微机接口ppt课件第6章微型计算机中的存储器.pptVIP

6.4高速缓冲存储器01在存储系统的层次结构中，高速缓冲存储器（Cache）是介于中央处理器和主存储器之间的一级存储器。02它采用的是速度更快、价格更高的半导体静态存储器，用来存放当前使用最频繁的程序和数据，目的是提高CPU对存储器的访问速度。6.4.1Cache的工作原理将CPU最近最可能用到的指令或数据从主存复制到Cache中1从而提高访问速度。3当CPU下次再用到这些信息时，就不必访问慢速的主存，而直接从快速的Cache中得到2Cache的实现原理是：3．动态RAM2164的刷新动态RAM与静态RAM最大的不同就是不能长时间保存数据。01由于电容不能长期保持其内部存储的电荷，因此它需要在电荷消失之前进行刷新操作，以保持电荷稳定。02这种通过对动态RAM的存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定的过程称为动态存储器的刷新。03刷新是按行进行的，故只需由行选通信号RAS激活每一行的存储单元，而不需要列选通信号CAS，即可完成对指定行的刷新。例如，在PC/XT微型机中，动态RAM刷新是利用DMA控制器实现的，当DMA控制器接收到DMA请求时，便送出到刷新的行地址，从而完成指定行的刷新。6.2.3存储器的扩展01在实际应用中，由于单片存储器芯片的容量很有限，很难满足实际存储容量的要求，因此，常需要用多片存储器芯片构成一个大容量的存储器。021．位扩展位扩展是指增加存储器的字长，即对每个存储单元的位数进行扩展。例如，怎样用8K×1的RAM芯片构成8K×8的存储器系统?由于存储器的字数与存储器芯片的字数相同，8K=213，故需要13条地址线（A12~A0）对芯片内的存储单元寻址；由于每个芯片只有1条数据线，故需要8片这样的芯片3212．字扩展字扩展是指增加存储器字的数量，即对存储单元的个数进行扩展。1例如，怎样用4个16K×8芯片构成一个64K×8的存储器系统？2由于16K=214，故每个芯片有14位地址线，8条数据线。33．字位扩展字位扩展是指字扩展和位扩展的组合。若使用L×K位存储器芯片构成一个容量为M×N位(ML，NK)的存储器，那么这个存储器共需要(M/L)×(N/K)个存储器芯片。连接时可将这些芯片分成(M/L)个组，每组有(N/K)个芯片，组内采用位扩展法，组间采用字扩展法。6.3只读存储器只读存储器ROM（Read-OnlyMemory）是一种非易失性的半导体存储器。常用于存储不需要更改的程序和数据。它的特点是：数据只能读出不能写入，并且存储的数据稳定，不会因断电而消失，ROM有以下几种类型：可编程只读存储器PROM（ProgrammableROM）：只允许写入一次数据，写入后不允许修改。用特殊的方法将信息写入的过程称为编程。掩膜只读存储器ROM：存储的信息在制造过程中就固化好了，用户只能读出其信息而不能加以修改。紫外线可擦除可编程只读存储器EPROM（ErasablePROM）：具有擦除功能，擦出后可重新写入，可重复使用。利用紫外线照射把存储的内容擦除，再利用高电压重新编程写入。01020301电可擦除可编程只读存储器EEPROM（ElectricallyEPROM）：与EPROM类似，只是使用电信号进行擦除，比EPROM更为方便。02闪速存储器（FlashMemory）：新型的半导体存储器，具有非易失性、电擦除性和高可靠性。可擦除重写只读存储器EPROM27642764是一个8K×8位的紫外线可擦除可编程只读存储器芯片，其引脚定义及功能如下：A0~A12：13条地址线，该芯片上有8K（213＝8192）个存储单元。D0~D7：8条数据线，每个存储单元存储一个字节的信息。3241CE：选片控制端，为低电平时，表示该芯片被选中。Vpp是编程电源；Vcc是主电源。OE：输出允许端，为低电平时，表示从数据线输出数据。PGM：编程脉冲输入端。对EPROM编程时，输入编程脉冲；读操作时，输入高电平。3．EPROM2764的编程写入对EPROM的编程方式有两种：标准编程方式和快速编程方式。标准编程方式是指每出现一个编程负脉冲就写入一个字节的数据。①VCC接﹢5V，VPP加上芯片要求的高电压（如Vpp＝+25V）；②将要编程存储单元的地址送到A0~A12；③使CE为低电平，OE为高电平；④将要写入的数据送到D0~D7；⑤上述信号稳定后，在PGM端加上50±5ms的负脉冲；⑥将一个字节的数据写入相应的存储单元中。重复这个过程，即可完成整个芯片的写入。如果其他操作不变，只是在每写入一个单元的数据后将OE变为低电平，则可以对每次写入的数据