数字集成电路基本单元与版.pptVIP

7.4.1输入单元7.4焊盘输入输出单元*输入单元主要承担对内部电路的保护，一般认为外部信号的驱动能力足够大，输入单元不必具备再驱动功能。因此，输入单元的结构主要是输入保护电路。为防止器件被击穿，必须为这些电荷提供“泄放通路”，这就是输入保护电路。输入保护分为单二极管、电阻结构和双二极管、电阻结构。输入单元(续)*单二极管、电阻保护电路双二极管、电阻保护电路反相输出I/OPAD7.4.2输出单元*顾名思义，反相输出就是内部信号经反相后输出。这个反相器除了完成反相的功能外，另一个主要作用是提供一定的驱动能力。图9.37是一种p阱硅栅CMOS结构的反相输出单元，由版图可见构造反相器的NMOS管和PMOS管的尺寸比较大，因此具有较大的驱动能力。CMOS反相器的瞬态特性*线性放电时间段有，02b、非饱和状态01总的放电时间为tf=tf1+tf2如果Vtn=0.2Vdd，则如果Vtn=|Vtp|，bn=bp，则tr=tfCMOS的输出波形将是对称的。CMOS反相器的瞬态特性反相器电路图到符号电路版图的转换*电路图，（b）漏极连线，（c）电源与地线连线，（d）栅极与输入输出连线图7.20各种形式的反相器版图*（a）垂直走向MOS管结构，（b）水平走向MOS管结构，（c）金属线从管子中间穿过的水平走向MOS管结构，（d）金属线从管子上下穿过的水平走向MOS管结构（e）有多晶硅线穿过的垂直走向MOS管结构（a）（b）（c）（d）（e）反相器版图*NWELL(N阱)Poly(多晶硅)P+(P扩散)N+(N扩散)Contact(接触孔)Metal(金属)CMOS层次MASK1#MASK2#MASK3#MASK4#MASK5#MASK6#掩模版层次并联反相器版图*直接并联，（b）共用漏区，（c）星状连接[4]CMOS与非门和或非门*与非门和或非门电路：（a）二输入与非门，二输入或非门二输入与非门二输入或非门与非门的版图*按电路图转换，（b）MOS管水平走向设计NWELL(N阱)Poly(多晶硅)P+(P扩散)N+(N扩散)Contact(接触孔)Metal(金属)CMOS层次MASK1#MASK2#MASK3#MASK4#MASK5#MASK6#掩模版层次与非门和或非门的版图或非门版图*输入向右引线，（b）输入向上引线多输入或非门*多输入与非门[5]CMOS复杂逻辑门*Z=A（B+C）该类电路的优点：在实现同样逻辑运算的基础上大大节约器件的数量。[6]动态逻辑门电路（钟控逻辑门电路）*1类似于前面看到过的高阻的三态倒相器.当f1为高电平时，门工作就象一个倒相器.2OUT=/IN当f1为低电平时,输出变成高阻态，OUT=‘Z’预充求值逻辑PE(Pre-charge-Evaluate)Logic*该电路正常工作时可以分为两个阶段：当f1为低电平时，预充晶体管导通(ON)，求值晶体管截至(OFF)，对输出结点进行充电.II）当f1为高电平时，预充晶体管截至(OFF)，求值晶体管导通(ON)，根据输入信号对输出结点进行求值.CMOS传输门和开关逻辑工作原理传输门：（a）电路（b）符号;开关逻辑与或门工作原理(续)*01“异或”和（b）“异或非”门电路0302工作原理(续)*213不同功能的线或电路：（a）电路图，（b）逻辑图CMOS传输门版图实现*三态门：（a）常规逻辑门结构，（b）带传输门结构三态门三态门版图*0102驱动电路*驱动电路的结构示意图驱动电路版图*7.3CMOS触发器设计*RS触发器TheSet-ResetFlip-FlopBasedonNANDGates12注意当两个输入同时为高时，输出是有病的(invalid)，此时两个输出均为低电平.TheSet-ResetFlip-FlopBasedonNORGates[2].锁存器(电平敏感)*)当E=‘1’时，T1导通，T2截止Q=D)当E=‘0’时，T1截止，T2导通Qn+1=Qn0102该锁存器的波形图*STEP3STEP2STEP1EDQ[3].D触发器(边沿触发）*一种实现边沿D触发器的方法是用反馈倒