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*************************************4.6紧束缚近似基本假设紧束缚近似假设电子主要局限在原子附近，与邻近原子的相互作用较弱。这种近似特别适用于描述内层电子和共价键构成的晶体，如半导体和绝缘体。波函数叠加在紧束缚近似中，晶体的波函数表示为原子轨道的线性组合。电子在晶格中的波函数可以写为ψ?(r)=(1/√N)∑?e??·??(r-R)，其中?是原子轨道波函数，R是晶格位置。能带形成通过求解薛定谔方程，可以得到能量与波矢的关系E(k)=E?+∑?t?e??·?，其中E?是原子能级，t?是跃迁积分，描述电子从一个原子跃迁到另一个原子的能力。能带宽度能带的宽度主要由最近邻跃迁积分t的大小决定，通常带宽W≈4zt，其中z是配位数。跃迁积分t与原子间距离密切相关，原子间距越小，t越大，能带越宽。4.7费米面和费米能简单金属费米面简单金属如钠、铝等的费米面接近球形，反映了其电子行为接近自由电子气体模型。费米面的体积与价电子浓度成正比，由关系VF=(2π)3(n/2)决定。过渡金属费米面过渡金属如铜、铁等的费米面形状复杂，可能与布里渊区边界相交，形成颈部和腹部。这种复杂形状反映了d电子带与s电子带的杂化效应。半导体费米面本征半导体在绝对零度时没有费米面，因为费米能级位于带隙中。当温度升高或掺杂后，可以在导带底部(电子)或价带顶部(空穴)形成小的费米面，通常具有椭球形状。费米面是k空间中能量等于费米能的所有点的集合，表示在绝对零度时被电子占据的最高能量状态。费米面的形状和大小对材料的电学、热学和磁学性质有决定性影响。通过德哈斯-范阿尔芬效应、循环共振和角分辨光电子能谱等实验方法可以测量费米面特性。4.8有效质量电子有效质量(m*/m?)空穴有效质量(m*/m?)有效质量是描述电子在晶体中运动行为的重要概念，它考虑了晶格势场对电子运动的影响。从半经典电子动力学角度，有效质量张量定义为m*??=?2(?2E/?k??k?)?1，其中E(k)是能带色散关系。当能带近似抛物线形时，有效质量简化为标量m*=?2(?2E/?k2)?1。有效质量可以大于、小于甚至为负值。在能带底部，曲率为正，电子具有正的有效质量；在能带顶部，曲率为负，导致负的有效质量，对应于空穴的正有效质量。不同材料的有效质量差异很大，例如GaAs中电子的有效质量约为自由电子质量的0.067倍，而重空穴的有效质量约为0.45倍。第五章：金属、半导体和绝缘体金属费米能级位于导带内，价带和导带重叠，价电子数大于或等于价电子带容纳的电子数。导电性好，室温电导率通常为10?-10?S/m。随温度升高，电阻率通常增加，辐射反射率高，呈金属光泽。1半导体费米能级位于带隙中，价带完全填满，导带空或几乎空。带隙较小（通常0.1-4eV）。室温电导率通常为10??-10?S/m，随温度升高，电导率通常增加。掺杂可显著改变电导率，具有光电效应。2绝缘体费米能级位于带隙中，价带完全填满，导带空。带隙较大（通常4eV），室温电导率极低（10?1?S/m）。在正常条件下不导电，通常透明或半透明，介电常数较低。3半金属费米能级位于价带顶和导带底附近，价带和导带有微小重叠。导带和价带态密度在费米能级处很小。室温电导率介于金属和半导体之间。典型代表有砷、锑、铋和石墨。45.1金属的电子结构简单金属简单金属如碱金属(Li,Na,K等)和碱土金属(Be,Mg,Ca等)的电子结构相对简单，其价电子带主要由s轨道组成。这些金属的费米面近似球形，电子行为接近自由电子气体模型。碱金属的电子结构可以近似为一个半满的s带，价电子浓度约为1022-1023cm?3。过渡金属过渡金属(如Fe,Cu,Ni等)的电子结构更为复杂，因为它们的d轨道部分填充。d带通常能容纳10个电子，而s带能容纳2个电子。在过渡金属中，d带和s带往往重叠，导致费米面形状复杂。d电子相对局域，有效质量较大，而s电子更接近自由电子行为。贵金属贵金属(Cu,Ag,Au)具有完全填满的d带和部分填充的s带。由于d带位于费米能级以下，贵金属的电子输运性质主要由s电子决定。然而，d带对光学性质有显著影响，例如铜的红色和金的黄色源于d-s跃迁的光吸收特性。5.2半导体的能带结构硅(Si)硅是间接带隙半导体，带隙约为1.12eV(300K)。价带顶位于布里渊区中心(Γ点)，而导带底位于沿[100]方向约距离布里渊区中心85%处。导带底有六个等价的谷，导致电子有效质量具有各向异性。砷化镓(GaAs)砷化镓是直接带隙