模拟电子康5版课件第二、三讲3二极管及其基本电路.pptVIP

晶体二极管1.正向起始部分存在一个死区或门坎，称为门限电压。硅：Vr=0.5-0.6v;锗：Vr2.加反向电压时，反向电流很小即Is硅(nA)Is锗(?A)硅管比锗管稳定3.当反压增大VB时再增加，反向电流激增，发生反向击穿，VB称为反向击穿电压。①②③二极管的伏安特性可用下式表示二极管的伏安特性当温度升高时特性曲线左移注意参考方向问题晶体二极管晶体二极管的电阻非线性电阻直流电阻R(也称静态电阻）交流电阻r（又称动态电阻或微变电阻）一、直流电阻定义二极管两端的直流电压UD与电流ID之比IDIUUDD晶体二极管二、交流电阻rRLEDDuIQU?U?I或实质是特性曲线静态工作点处的斜率交流电导：g=dI/dU=I/UT交流电阻：r=1/g=UT/I室温下：UT=26mv交流电阻：r=26mv/ID(mA)晶体二极管的正向交流电阻可由PN结电流方程求出：由此可得：晶体二极管的电阻二极管的参数(1)最大整流电流IF(2)反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM(3)反向电流IR(4)正向压降VF(5)极间电容CB二极管的型号命名2.4二极管基本电路及其分析方法二极管V-I特性的建模添加标题应用举例添加标题直流模型：理想模型

恒压降模型

折线模型

指数模型添加标题模型越来越准确，但是计算越来越复杂添加标题直流模型用在直流电源作用的电路中添加标题交流模型用在交流电源作用的电路中添加标题交流模型：小信号模型添加标题2.4.1二极管V-I特性的建模1.理想模型3.折线模型2.恒压降模型正偏时导通，管压降为0V;反偏时截止，电流为0。管子导通后,管压降认为是恒定的,典型值为0.7V。管压降不是恒定的,而是随电流的增加而增加。5.小信号模型二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。即根据得Q点处的微变电导则常温下（T=300K）2.4.1二极管V-I特性的建模4.指数模型较完整且较准确2.4.2应用举例二极管在某个电路中可以这样来使用：1、当作非线性电阻来使用，即所有时间内全部在正向导通区2、当作开关来使用，即某段时间内导通，某段时间内截止3、当作开关来使用，即在所有时间内均导通4、当作开关来使用，即在所有时间内均截止5、当作小电压稳压器件来使用，即所有时间内全部在正向导通区6、当作大电压稳压器件来使用，即所有时间内全部在反向击穿区一、用二极管直流模型来分析电路二、用二极管交流模型来分析电路应用举例用二极管直流模型来分析电路已知R=10K，在VDD=10V、VDD=1V两种情况下，求电路的ID和VD。例1二极管电路的静态工作情况分析2.4.2应用举例1）理想模型（1）VDD=10V时因为只有直流电压源作用，所以使用直流模型。首先：将原始电路中的二极管用它的理想模型代替，得到右侧的电路。然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止。在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管。解:（硅二极管典型值）2.4.2应用举例2）恒压降模型首先：将原始电路中的二极管用它的理想模型代替，得到右侧的电路。然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止。在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管。2.4.2应用举例3）折线模型（硅二极管典型值）设首先：将原始电路中的二极管用它的理想模型代替，得到右侧的电路。然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止。在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管。2.4.2应用举例理想模型恒压模型（硅二极管典型值）折线模型（硅二极管