模电“电子技术基础”康华光-ch4-1-bj.pptxVIP

4.1.1结构与符号4.1.2工作原理4.1.3特性曲线4.1.4参数4.1.5型号4.1.6基本要求BipolarJunctionTransistor(BJT)04半导体三极管及放大电路基础4.1半导体三极管

三极管图片

4.1.1结构与符号(StructuresandCircuitSymbol)两种:NPNPNP一、结构e(Emitter)：发射极b(Base）：基极c(Collector)：集电极发射结(Je)集电结(Jc)基区发射区集电区三极:三区:两节:特点:b区薄e区掺杂多c区面积大e,b,cJe,Jc

二、符号*Je箭头:PN

01工作原理(TransistorOperation)02放大条件03内部载流子传输过程04电流分配关系05放大作用

一、放大条件外部条件？内部条件：三区结构与掺杂Je正偏，Jc反偏。电位关系：NPN：VC＞VB＞VEPNP：VC＜VB＜VE

二、内部载流子传输过程集电区发射区基区JeJcIB(1)(2)(3)IEIC扩散漂移正偏反偏复合忽略支流：IE=IC+IB

三、电流分配关系(CurrentRelationship)另有支流：IEP、

ICBOIE=IC+IB

四、放大作用三种组态电路(Common)应用：共射电压放大电流放大(控制）(CommonEmitterCircuit)

问题1：若两个PN结对接，三极管有无01电流放大作用。02问题2：当温度升高时，三极管将失去放大作用。为什么？03

4.1.3特性曲线输入特性曲线——iB=f(vBE)?vCE=const输出特性曲线——iC=f(vCE)?iB=const01共射接法02共射接法的电压-电流关系03

(1)输入特性曲线方程：iB=f(vBE)?vCE=const曲线?

(2)输出特性曲线方程：iC=f(vCE)?iB=const曲线?饱和区放大区截止区发射结集电结正偏正偏正偏反偏反偏反偏三区偏置特点

例1：测量三极管三个电极对地电位如图试判断三极管的工作状态。放大截止饱和

4.1.4参数 分为三大类:(1)直流参数①电流放大系数 1.共射~≈IC/IB?vCE=const直流参数交流参数极限参数2.共基~关系=IC/IE=IB/?1+?IB=/?1+?，或=/?1-?≈IC/IE?VCB=const

1.ICBOO(Open)关系：ICEO=（1+）ICBO2.ICEO（穿透电流）②极间反向饱和电流（温度稳定性）

(2)交流参数①交流电流放大系数1.共射~?=?IC/?IB?vCE=const2.共基~α=?IC/?IE?VCB=const②特征频率fT当?下降到1时所对应的频率当ICBO和ICEO很小时，≈?，≈?

极限参数1ICM2IC上升时?会下降。3?下降到放大区?值的70％时所允许的电流。4PCM5超过此值会使管子性能变坏或烧毁。6PCM=ICVCB≈ICVCE7

V(BR)CBO——E极开路时的集电结击穿电压。V(BR)EBO——类上反向击穿电压（V(BR)XXO）V(BR)CEO——关系：V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO

4.1.5半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下:3DG110B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管

表02.01双极型三极管的参数参数型号PCMmWICMmAVRCBOVVRCEOVVREBOVICBOμAfTMHz3AX31D1251252012≤6*≥