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开关电源之雷击浪涌分析之雷击浪涌的测试项目以及PCBlayout

雷击的测试项目主要针对电源火线(L),地线(N),安全地(E)进行不同组合测试主要测试项目有四种(L→E,N→E,LN→E,L→N),一般设计考虑上分为共模(CommonMode)与差模(Differentialmode)两大类,

A.L→E,N→E,LN→E测试属于共模(CommonMode)

B.L→N测试属于差模(Differentialmode)

以下是做雷击测试时CommonMode和Differentialmode的路径如下图所示

图

共模的雷击对策:(CommonMode)

共模雷击能量泄放路径,(参考上图绿线),首先考虑跨初、次级会因安全距离不足而造成其雷击跳火或组件损坏的路径有那些?(变压器/光耦合器/Y-Cap)针对这三个组件选择与设计考虑如下:

1.变压器:

因变压器横跨于初、次级组件,依照工作电压有不同的安规距离要求,一般采

用ClassB的等级,零件本身初次级需通过Hi-POT3000Vac,需特别注意脚距离与铁心的距离以及绕组每层胶带数量是否符合绝缘强度。

2.光耦合器:

组件本身的距离需符合安规的要求,layout时零件下方不可有Trace避免距离

不足的问题。

3.Y-Cap:

本身的特性是高频低阻抗的组件,当共模雷击测试时,能量会快速通过Y-Cap

所摆放的路径,因此layout布局时半导体组件(PWMIC,TL431,OP…)GND

trace应避开YCap雷击能量泄放路径,以避免成零件的损坏

差模的雷击对策:(Differential）

雷击能量流经的路径主要在桥式整流器前的L和N回路,主要对策如下:Varistor(MOV)或SparkGap(雷击管)吸收等组件吸收并抑制能量流入powersupply内部。

1.Thermistor(NTC):串接于LorN的路径上,会增加回路的阻抗值,进而降低进入Powersupply的电流能量。

2.MOV(MetalOxideVaristor):金属氧化物或突波吸收器,使用上并联于L和N上,组件本身为一个高阻抗的组件,在一般的情形下并不会有损耗产生,只有稍许的漏电流,当瞬间的雷击高电位进入电源输入端且超过MOV的崩溃电压,此时产生抑制电压的动作,而让瞬间上升电流流经MOV本身进行能量吸收,降低雷击的能量进入PowerSupply本身。

3.SparkGaporGasDischargeTube:使用上并联于CommonChoke同一次侧的两端,针对雷击所产生的动作保护原理当瞬间的高电位在CommonChoke两端超过其额定的电压时会激发惰性气体,此时SparkGap会产生电弧放电,将突波的能量抑制下来,不让大量的能量进入PowerSupply,

4.在layout上规划出锯齿状的铜箔形式,两端距离约1mm,当CommonChoke两端的压差太大时,产生尖端放电的现象,将能量进而宣泄。

除了上述设计上所应注意的地方之外,Layout上如何达到对电击的防制亦是重要一环。

地线(Ground)的处理,如下图所示

A.一次侧的部分,Ground的layout顺序大电容的Ground→Current

sensor→Y-Cap→一次侧变压器辅助绕组Vcc电容的Ground→PWMIC外围

组件的ground→PWMIC的ground。

B.二次侧的部分:1.TL431的地接至第二级输出电容的地。

C.二次侧Y-cap的出脚接至二次侧变压器的ground。

2.正端高压部分的处理,如下图所示。

A.L,N两线距离2.5mm以上及与E的距离在4mm以上。

B.高压的铜箔与低压的铜箔安全距离在1.5mm以上。

C.一、二次侧的距离在6mm以上。

4.PWMIClayout的注意事项,因PWMIC相较于其它的组件而言是属于比较脆弱且易损伤的组件,,举例在一般的PWMIC都会定义每支脚位所能承受的最大电位及负向电压如下图所示,所以一开始layout其组件的摆置相形重要。

Vcc的电解电容及陶瓷电容。

Cspin的陶瓷电容。

CTpin的陶瓷电容。

COMPpin的陶瓷电容。

以上电容都要尽量要靠近IC,以防止瞬间电压进入PWMIC(尤其是负电压)。再来

就Ground的处理,首先将PWMIC之CT/CS/COMP所有GND接在一起后,单点

进入ICGND,再接至Vcc电解/陶瓷电容的