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《传感器》课件_第2章_电阻式传感器.pptVIP

《传感器》课件_第2章_电阻式传感器.ppt

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一、压阻效应对于金属很小故而对半导体材料半导体材料的压阻系数第七节压阻式传感器第2章电阻式传感器—压阻系数E—杨氏模量—应力—应变第2章电阻式传感器各向同性的材料,其压阻系数无方向性。对各向异性的立方晶体单晶硅,其压阻系数与晶向有关。实用中,对于在硅膜片上用扩散工艺在任意方向(晶向)上制作的应变电阻条,由于各向异性,当其随硅膜片承受外应力时,会同时产生纵向(电流方向,即电阻条长度方向)压阻效应和横向(电阻条宽度方向)压阻效应,而深度方向的压阻效应因电阻条厚度极薄(几微米),且该方向上应力远比纵向、横向小而可忽略,因此,扩散电阻在纵向)横向应力作用下产生的全压阻效应可用下式表示:第2章电阻式传感器二、压阻传感器利用压阻效应开发的传感器谓之压阻式传感器。它有两种类型:一种是利用半导体材料的体电阻,制作成如前所述的半导体应变计,其灵敏度要比金属应变计高2个数量级。另一种是在半导体单晶硅(锗)的基底上利用半导体集成工艺中的扩散技术,将弹性敏感元件与应变(转换)元件合二为一,制成扩散硅压阻式传感器。1、硅杯—压力硅传感器核心部分是做成杯状的硅膜片,中间硅膜片有效直径为4mm,膜厚视量程通常在5-50nm之间。在硅膜上用扩散掺杂工艺设置4个阻值相等的电阻,如图所示,经蒸镀铝电极及连线,接成惠斯登电桥,再用压焊法与引线相连。第2章电阻式传感器三、压阻传感器应用摩托罗拉X型硅压力传感器硅压阻传感器,由于四个电阻不完全匹配而会引起测量误差零点偏移较大,不易调整。X型电阻是利用离子注入工艺光刻在硅膜片上,采用计算机控制的激光修正技术,温度补偿技术。极好的线性度,灵敏度高,长期重复性好,可在0-85℃温度范围内工作。第2章电阻式传感器第2章电阻式传感器2、压阻式加速度传感器压阻式加速度传感器的原理结构如图所示,它的悬臂梁采用P型单晶硅,在其根部沿001晶向(纵向)和010晶向(横向)各扩散两组N型电阻,并接成桥路。当自由端质量为m的质量块受加速度a作用时,悬臂梁根部受弯矩作用产生应力,从而使纵向和横向两组电阻产生电阻变化。作业:2-1,2-9一试件为钢材,电阻丝为康铜丝,βt=15×10-6/℃,βs=11×10-6/℃,在Δt=1℃时,,K=2,求电阻应变计的温度效应误差εt。温度变化造成的应变计电阻相对误差为:例第2章电阻式传感器应变误差:1、温度自补偿法精心选配敏感栅材料与结构参数来实现热输出补偿。(1)单丝自补偿应变计欲使热输出εt=0,只要满足条件:(2-9)第2章电阻式传感器二、热输出补偿方法热输出补偿常采用温度自补偿法和桥路补偿法。在研制和选用应变计时,若选择敏感栅的合金材料,其αt、βt能与试件材料的βs相匹配,即满足εt=0,达到温度自补偿的目的。1、温度自补偿法(2)双丝自补偿应变计敏感栅由电阻温度系数一正一负的两种合金丝串接而成。当工作温度变化时,若Ra栅产生正的热输出εa与Rb栅产生负的热输出εb相等或相近,就可达到自补偿的目的,即:(2-10)图2.2(a)回线式(b)短接式第2章电阻式传感器第2章电阻式传感器2、桥路补偿法桥路补偿法就是利用电桥的和、差原理来达到补偿的目的。(1)双丝半桥式图2.3双丝半桥式热补偿应变计敏感栅由同符号电阻温度系数的两种合金丝串接而成,工作栅R1接入工作臂,补偿栅R2外接串接电阻RB(不敏感温度影响)接入补偿臂,当温度变化时,只要电桥工作臂和补偿臂的热输出相等或相近,就能达到热补偿目的。=(2-11)第2章电阻式传感器而外接补偿电阻为这种热补偿法的优点:通过调整RB值,不仅可使热补偿达到最佳状态,而且还适用于不同线膨胀系数的试件。缺点:是对RB的精度要求高,而且当有应变时,补偿栅同样起着抵消工作栅有效应变的作用,使应变计输出灵敏度降低。2、桥路补偿法(2)补偿块法图2.4补偿块半桥热补偿应变计使用两个相同的应变计。R1贴在试件上,接入电桥工作臂,R2贴在与试件同材料、同环境温度,但不参与机械应变的补偿块上,接入电桥相邻臂作补偿臂,补偿臂产生与工作臂相同的热输出,通过电桥,起到补偿作用。第2章电阻式传感器2、桥路补偿法(3)差动电桥法巧妙地安装应变片可以起补偿作用并提高灵敏度。

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