微电子概论（第3版）课件2-2-4载流子寿命.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.非平衡载流子2.2.4非平衡载流子与载流子寿命2.载流子的“净产生”和“净复合”3.载流子复合机理

1.非平衡载流子(1)非平衡态和非平衡载流子如果对半导体施加一定的外界作用，使得半导体内部电子浓度n和空穴浓度p的数量明显增加，超出平衡时电子浓度n0和空穴浓度p0。这种状态称为非平衡态。超出平衡态浓度的那一部分载流子为非平衡态载流子，记为Δn和Δp。Δn=n－n0，Δp=p－p0由于非平衡载流子是成对产生的，因此Δn=Δp

1.非平衡载流子(2)非平衡载流子的“注入（Injection）”使得半导体材料中出现非平衡载流子又称为非平衡载流子的“注入”。若注入的非平衡载流子远小于半导体材料中的平衡多子浓度，则称为“小注入（LowInjection）”。若注入的非平衡载流子达到远大于半导体材料中的平衡多子浓度的程度，则称为“特大注入”。在pn结和晶体管工作原理分析中，将要使用这两种特殊情况的非平衡载流子注入概念。

1.非平衡载流子(3)非平衡载流子“寿命”（Lifetime）非平衡载流子电子-空穴对将会受到复合作用而消失。非平衡载流子在复合前平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命，记为τ。

2.载流子的“净产生”和“净复合”(1)非平衡载流子“复合率”R（RecombinationRate）载流子的寿命为τ，则每个载流子单位时间内因复合作用而消失的概率为1/τ。单位时间单位体积内因复合而消失的非平衡载流子称为复合率，记为R显然有R=Δn/τ

2.载流子的“净产生”和“净复合”(2)净复合R=Δn/τ(3)净产生若n大于n0，Δn为正，则R0，表示存在复合，又称为“净复合”。若n小于n0，Δn为负，则复合率R0，表示实际上发生的是“产生”，又称为“净产生”。

3.载流子复合机理(1)直接复合载流子寿命大小取决于载流子的复合过程。在半导体材料中，电子－空穴对的复合机理主要有三类。(2)体内间接复合(3)表面复合半导体中非平衡载流子的“产生”和“复合”是决定半导体器件特性的主要机理之一。半导体材料中缺陷和杂质越多，则复合作用越强，载流子寿命越短。特别是“金”这类重金属原子对载流子复合作用影响很大，因此半导体器件和集成电路制作过程中均采取多项针对性措施防止这类原子进入半导体材料中。