微电子概论（第3版）课件2-2-2非本征半导体.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.掺杂与非本征半导体2.2.2非本征半导体2.n型半导体4.补偿3.p型半导体5.多数载流子和少数载流子

引言：集成电路中实际采用并决定器件特性的是非本征半导体。掺杂（Doping）：掺入杂质原子（其他元素原子）的过程。非本征半导体：掺入有杂质的半导体，又称杂质半导体。由于掺杂元素类型的不同，将形成不同类型的半导体。1.掺杂与非本征半导体通过掺杂控制半导体的导电类型和导电能力，是制造半导体器件和集成电路的物理基础。半导体器件和集成电路的制造过程中将进行多次掺杂。

2.n型半导体（n-typeSemiconductor）(1)施主杂质与n型半导体掺入Ⅴ价元素原子（如“磷”）取代硅原子，多余的一个电子，受束缚很弱，室温下即能脱离束缚成为自由电子。

2.n型半导体（n-typeSemiconductor）(1)施主杂质与n型半导体Ⅴ价杂质原子提供了电子载流子，因此称为施主杂质（DonorImpurity）。施主杂质浓度记为ND。电子载流子带负电（negative），因此施主杂质又称为n型杂质。如果半导体中n型杂质居多，则称该为n型半导体。

2.n型半导体（n-typeSemiconductor）(2)n型半导体的特点施主杂质原子只能提供一个电子，并不同时产生空穴。施主杂质原子提供一个电子后，本身成为带一个正电荷的离化施主杂质离子。整个n型半导体保持电中性。

3.p型半导体（p-typeSemiconductor）(1)受主杂质与p型半导体掺入Ⅲ价元素原子（例如硼(B)、镓(Ga)和铟(In)）取代硅原子，第4个共价键上出现一个空位置。室温下该空位接受其他硅原子的价电子来填补，在其他硅原子中形成新的空位，对应提供一个空穴。

3.p型半导体（p-typeSemiconductor）(1)受主杂质与p型半导体Ⅲ价杂质原子接受一个电子才提供空穴载流子，因此称为受主（Acceptor）杂质。受主杂质浓度记为NA。空穴载流子带正电（Positive），因此受主杂质又称为p型杂质。如果半导体中p型杂质居多，则称该为p型半导体。

3.p型半导体（p-typeSemiconductor）(2)p型半导体的特点受主杂质原子只能提供一个空穴，并不同时产生自由电子。受主杂质原子提供一个空穴后，本身成为带一个负电荷的离化受主杂质离子。整个p型半导体保持电中性。

4.补偿半导体中同时存在施主和受主杂质时，施主杂质提供的自由电子会通过“复合”与受主杂质提供的空穴相抵消，这种现象称为“补偿”。在同时存在两类杂质的情况下，半导体的性质取决于“补偿”后哪一类杂质起主导作用。如果施主杂质浓度与受主杂质近似相等，半导体中的载流子浓度基本等于由本征激发作用产生的自由电子和空穴浓度，这种半导体称为补偿型本征半导体。半导体中杂质的存在会影响半导体中载流子的迁移率、寿命等重要参数，进而影响半导体器件的特性。因此补偿型本征半导体材料的性质明显比本征半导体材料差。注意：

5.多数载流子和少数载流子(1)质量作用定律尽管掺入的杂质浓度将影响电子和空穴浓度的大小，理论分析表明，在热平衡时，半导体中电子浓度(n0)和空穴浓度(p0)的乘积等于本征载流子浓度(ni)的平方：n0p0=ni2载流子浓度符号的下标0表示“平衡”浓度。注意：热平衡时半导体中电子浓度（n0）和空穴浓度（p0）的乘积与掺杂无关，只与温度有关。说明：温度越高，则（n0）与（p0）的乘积越大。

5.多数载流子和少数载流子(2)多数载流子和少数载流子掺入杂质后半导体中一种载流子的浓度明显高于另一种载流子的浓度。浓度高的载流子称为多数载流子（MajorityCarrier），简称为“多子”，浓度较低的载流子称为少数载流子（MinorityCarrier），简称为“少子”。

5.多数载流子和少数载流子(3)平衡情况下n型半导体中的载流子由于一个n型杂质提供一个自由电子，若掺杂浓度为ND，则多子电子浓度为nn0≈ND根据质量作用定理，得少子空穴浓度为pno≈ni2/ND上述载流子符号中，下标n表示“n型半导体”中的载流子，下标0代表“平衡”情况。注意：

5.多数载流子和少数载流子(3)平衡情况下n型半导体中的载流子数字实例：Si半导体中掺入施主杂质浓度为ND=1016/cm3室温下Si中本征载流子浓度约为ni=1010/cm3则平衡情况下多子电子浓度nn0≈ND=1016/cm3