微电子概论（第3版）课件2-2-1本征半导体.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.产生和复合的动态平衡2.2.1本征半导体2.本征载流子浓度

本征半导体（IntrinsicSemiconductor）：没有任何杂质和缺陷的纯净半导体材料。1.产生和复合的动态平衡(1)产生（Generation）由于“热激发”，一部分价键上的电子脱离共价键的束缚成为自由电子，同时在价键上的空位等效为空穴，产生自由电子－空穴对。(2)复合（Recombination）自由电子半导体材料内部运动过程中可能又回到价键的空位上，就导致同时消失一对电子和空穴，这一过程称为复合。

本征半导体（IntrinsicSemiconductor）：没有任何杂质和缺陷的纯净半导体材料。(3)动态平衡状态在一定温度下达到产生和复合载流子数相等的状态。这时半导体内自由电子和空穴数就不再增多也不再减少。因此，在一定温度下，半导体材料具有一定数目的电子、空穴。1.产生和复合的动态平衡

2.本征载流子（IntrinsicCarrier）浓度(1)本征载流子浓度特点由于热激发，产生一个自由电子的同时也产生一个空穴，因此本征半导体的一个特点是载流子电子和空穴浓度相等。ni=pi下标i代表“本征”共价键描述能带图描述

2.本征载流子（IntrinsicCarrier）浓度(2)本征载流子浓度与温度、半导体材料的关系随着温度的升高，“热激发”作用增强，本征载流子浓度必然随着温度的升高而急剧增加。不同半导体材料的禁带宽度不同。禁带宽的半导体，热激发需要能量大，则在同一个温度下，本征载流子浓度就低。定量分析得：A是与材料类型有关的常数，对Si，A＝3.87×1016；Eg为该材料的禁带宽度

在室温下：ni(Si)=1.45×1010/cm3ni(Ge)=2.4×1013/cm3ni(GaAs)=1.79×106/cm3Si:温度升高11oC，本征载流子浓度增加1倍。这就是半导体具有温敏特性、而且电阻率具有负温度系数的物理原因。