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传统热CVD法制模

CVD制模根本原理1CVD制模根本特征2热化学气相沉积3内容大纲

CVD制模根本原理化学气相沉积CVD(Chemical?Vapor?Deposition)是利用加热，等离子体鼓励或光辐射等方法，使气态或蒸汽状态的化学物质发生反响并以原子态沉积在适当位置的衬底上，从而形成所需要的固态薄膜或涂层的过程。化学气相沉积主要分为四个重要阶段反响气体向基体外表扩散反响气体吸附于基体外表气相副产物脱离外表反响气体向基体外表扩散3

CVD制模根本原理根本示意图CVD法原理示意图反响气体向材料外表扩散反响气体吸附于材料的外表在材料外表发生化学反应气态副产物脱离材料外表???④四个过程4

CVD制模根本特征最主要的是必须要有化学反响，化学反响还需以下三大特点：?反响物质在室温或不太高的温度下最好是气态，或有很高的蒸气压，且有很高的纯度?通过沉积反响能够形成所需要的材料沉积层?反响易于控制5

CVD制模根本特征1、成膜的种类范围广

金属、非金属、合金、半导体、氧化物、单晶、多晶、有机材料、软质、超硬2、化学反响可控性好，膜质量高3、成膜的速度快〔与PVD相比〕，适合大批量生产，膜的均匀性好〔低真空，膜的绕射性好〕，可在复杂形状工件上成膜4、膜层的致密性好，内应力小，结晶性好〔平衡状态成膜〕5、成膜过程的辐射损伤比较低，有利于制备多层薄膜，改变工作气体，可方便制备高梯度差薄膜〔材质〕过渡区小〔光电，半导体器件〕6

CVD制模根本特征CVD的分类1．按沉积温度分：低温〔200~500℃〕、中温〔500~1000℃〕、高温〔1000~1300℃〕2．按反响压力分：常压CVD〔APCVD〕、减压CVD〔LPCVD〕3．按反响器壁温度分：热壁CVD、冷壁CVD4．按激活方式分：热激活、等离子体激活〔电场、微波、ECR等〕、光激活〔紫外光、激光等〕5.以主要特征进行综合分类，可分为热化学气相沉积〔TCVD〕、低压化学气相沉积〔LPCVD〕、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积〔MOCVD〕等7

CVD制模根本特征CVD对反响体系的要求能够形成所需要的材料淀积层或材料层的组合，其它反响产物均易挥发反响剂在室温下最好是气态，或在不太高的温度下有相当的蒸气压，且容易获得高纯品在沉积温度下，沉积物和衬底的蒸汽压要足够低淀积装置简单，操作方便．工艺上重复性好，适于批量生产，本钱低廉8

CVD制模根本特征CVD反响的分类a、热分解反响〔单一气源〕：气态氢化物、羟基化合物等在炽热基片上热分解沉积b、化学合成反响〔两种或两种以上气源〕c、化学输运反响：是一个可逆反响，由温度来控制反响进行的方向。在高温区生成气相物质，输运到低温区以后，发生分解生成薄膜。一般用于物质的提纯。9

CVD制模根本特征缺点：1．一般CVD的温度太高，使基板材料耐不住高温，界面扩散而影响薄膜质量。2．大多数反响气体和挥发性气体有剧毒、易燃、腐蚀。3．在局部外表沉积困难。优点：1、沉积装置相对简单。2、可在低于熔点或分解温度下制备各种高熔点的金属薄膜和碳化物、氮化物、硅化物薄膜及氧化物薄膜，可实现高温材料的低温生长。3、适合在形状复杂外表及孔内镀膜。4、成膜所需源物质，相对来说较易获得。10

CVD制模根本特征反响室CVD装置结构：Ⅰ卧式开管CVD装置特点：具有高的生产效率，但沿气流方向存在气体浓度、膜厚分布不均匀性问题。11

CVD制模根本特征Ⅱ立式CVD装置特点：

膜厚均匀性好。但不易获得高的生产效率。12

CVD制模根本特征Ⅲ转筒CVD装置特点：膜厚均匀性好，高的生产效率。13

CVD制模根本特征影响CVD薄膜质量的因素1.温度：影响淀积速率、薄膜的结晶状态。不同的沉积温度，可得到单晶或多晶薄膜。一般希望低温沉积质量较好，应力减小，但不能低于结晶温度〔影响原子迁移〕。2.反响气体浓度及比例：沉积速率还受控于反响气体浓度及流速〔反响量〕反响气体的压强不宜过大〔适中——根据化学反响的条件，热力学方程〕。反响气体压强过低影响成核密度成膜速率。3.基板的影响：材质，膨胀系数附着性；外表结晶状态成膜中心、密度，晶体的结晶取向〔CVD亦可生外延薄膜〕；基板位置膜均匀〔另与气体流速，气体压强有关〕14

热化学气相沉积热化学气相沉积是指采用衬底外表热