计算机组成原理存储器课件举例讲解.pptVIP

3.4.1只读存储器掩模式ROM定义：数据在芯片制造过程中写入，不能更改；优点：可靠性、集成度高，价格便宜；缺点：通用性差，不能改写内容；一次编程ROM（PROM）定义：用户第一次使用时写入确定内容；优点：用户可根据需要对ROM编程；缺点：只能写入一次，不能更改；多次编程ROM定义：可用紫外光照射（EPROM）或电擦除（E2PROM）多次改写其中内容；优点：通用性较好，可反复使用；第94页，共145页，星期日，2025年，2月5日3.4.2闪速存储器闪速存储器（FlashMemory）一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器，它突破了传统的存储器体系，改善了现有存储器的特性。闪速存储器是在EPROM功能基础上，增加了电路的电擦除和重新编程能力；也叫快擦型存储器。目前流行的U盘（也称优盘、闪盘）即为闪速存储器的其中一种形式。闪速存储器的可擦写次数一般在1万次以上，也有人说有的U盘可多达100万次左右（无法核实）。第95页，共145页，星期日，2025年，2月5日3.5?高速存储器3.5.1?双端口存储器3.5.2多模块交叉存储器3.5.3?相联存储器第96页，共145页，星期日，2025年，2月5日3.5.1双端口存储器双端口存储器采用空间并行技术：同一个存储体使用两组相互独立的读写控制线路，可并行操作。显卡上的存储器一般都是双端口存储器。读写特点无冲突读写访问的存储单元不同，可并行读写存储体；有冲突读写访问同一存储单元，可使用/BUSY信号控制读写优先顺序；动画演示：3-24.swf第97页，共145页，星期日，2025年，2月5日3.5.2多模块交叉存储器多模块交叉存储器采用时间并行技术。存储器的模块化组织方式顺序方式优点：通过直接增添模块来扩充存储器容量比较方便；缺点：各模块串行工作，存储器的带宽受到了限制。交叉方式优点：块数据传送时，可大大提高存储器的带宽；缺点：模块间的依赖性强，且不易进行存储器的容量扩充。CPU对多模块的同时访问；多模块交叉存储器在CPU所访问连续存储空间时，主存的访问速度将会大幅度提高；动画演示：3-26.swf动画演示：3-27.swf流水线存取示意图P903.28第98页，共145页，星期日，2025年，2月5日多模块交叉存储器——顺序方式每个模块中的单元地址是连续的；某个模块进行存取时，其他模块不工作，某一模块出现故障时，其他模块可以照常工作；存储单元地址高位——模块号；低位——模块内的字号；第99页，共145页，星期日，2025年，2月5日多模块交叉存储器——交叉方式每个模块的单元地址是不连续的；连续地址分布在相邻的不同模块内。对于数据的成块传送，各模块可以实现多模块流水式并行存取；存储单元地址低位——模块号；高位——模块内的字号；第100页，共145页，星期日，2025年，2月5日课本P91【例5】

设存储器容量为32字,字长64位,模块数m=4,分别用顺序方式和交叉方式进行组织。存储周期T=200ns,数据总线宽度为64位,总线传送周期τ=50ns。问顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少？顺序存储器和交叉存储器连续读出m=4个字的数据信息量为 q=4×64=256位顺序存储器所需要的时间为 t1=m×T=4×200ns=800ns=8×10-7s故顺序存储器的带宽为 W1=q/t1=256/(8×10-7)=32×107[bit/s]交叉存储器所需要的时间为 t2=T+(m-1)×τ=200ns+(4-1)×50ns=350ns=3.5×10-7s故交叉存储器的带宽为 W1=q/t1=256/(3.5×10-7)=73×107[bit/s]第101页，共145页，星期日，2025年，2月5日3.5.3相联存储器（补充）相联存储器的基本原理把存储单元所存内容的某一部分内容作为检索项，去检索该存储器，并将存储器中与该检索项符合的存储单元内容进行读出或写入。相联存储器中选用来寻址存储器的字段叫做关键字。相联存储器中项的格式 KEY，DATA 其中KEY是地址，DATA是被读写信息。第102页，共145页，星期日，2025年，2月5日动画演示：相联存储器的结构.swf第103页，共145页，星期日，2025年，2月5日74LS138译码器内部结构图第62页，共145页，星期日，2025年，2月5日74LS139译码器用于地址译码的2-4译码器；输入2位地址信号，译码产生4个不同的选通输出；外部的结