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自旋与电荷分别掺杂稀磁半导体：制备、物性及应用前景探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代社会信息终端的普及，物联网和大数据时代已然来临，海量数据对信息处理能力提出了前所未有的高要求。当前，提升数据处理能力的主要途径仍是提高晶体管集成度，然而，当晶体管尺寸不断缩小至纳米尺度，量子力学极限逐渐凸显。与此同时，单纯提升集成度会致使功率密度呈指数上升，散热问题成为制约器件性能进一步提升的关键瓶颈。由此可见，基于传统半导体材料的信息技术正逼近摩尔定律的极限，亟需从新材料探索的源头入手，探寻颠覆性的信息技术，以破解后摩尔时代的难题。

在众多候选材料中，稀磁半导体备受瞩目，它兼具半导体和磁性材料