第四讲离子类载流子导电.pptVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

第1页,共30页,星期日,2025年,2月5日晶体结构与晶体缺陷的概念晶体结构固体的结构分为:非晶体结构多晶体结构点阵:晶体内部结构概括为是由一些相同点子在空间有规则作周期性无限分布晶体格子(简称晶格):晶体中原子排列的具体形式。简单立方晶格:原子球的正方排列简单立方晶格典型单元????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????简单立方晶格单元沿着三个方向重复排列构成的图形第2页,共30页,星期日,2025年,2月5日晶体缺陷:图4.1晶体中的各种点缺陷1-大的置换原子;2-肖脱基空位;3-异类间隙原子;4-复合空位;5-弗兰克尔空位;6-小的置换原子第3页,共30页,星期日,2025年,2月5日类型:弗仑克尔缺陷(Frenkeldefect)和肖特基缺陷(Schottkydefect)定义:热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。热缺陷—点缺陷Frenkel缺陷Schottky缺陷图4.2弗仑克尔缺陷与肖特基缺陷示意图第4页,共30页,星期日,2025年,2月5日弗仑克尔缺陷的填隙离子和空位的浓度相等。都可表示为:肖特基空位浓度,在离子晶体中可表示为:一般肖特基缺陷形成能比弗仑克尔缺陷形成能低许多。第5页,共30页,星期日,2025年,2月5日二.离子迁移率高度为U0的“势垒”某一间隙离子由于热运动,越过位势垒。根据玻尔兹曼统计规律,单位时间沿某一方向跃迁的次数为:——间隙离子在半稳定位置上振动的频率。无外加电场——无电荷定向运动有外加电场——电荷定向运动第6页,共30页,星期日,2025年,2月5日第7页,共30页,星期日,2025年,2月5日则顺电场方向和逆电场方向填隙离子单位时间内跃迁次数分别为:第8页,共30页,星期日,2025年,2月5日则单位时间内每一间隙离子沿电场方向的剩余跃迁次数为:δ-相邻半稳定位置间的距离每跃迁一次距离为δ,迁移速度为第9页,共30页,星期日,2025年,2月5日当电场强度不大时,同样:第10页,共30页,星期日,2025年,2月5日迁移率:是指载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度,即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度,运动得越快,迁移率越大;运动得慢,迁移率小。同一种半导体材料中,载流子类型不同,迁移率不同,一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下,低掺杂硅材料中,电子的迁移率为1350cm2/(VS),而空穴的迁移率仅为480cm2/(VS)。第11页,共30页,星期日,2025年,2月5日迁移率主要影响到晶体管的两个性能:一是影响半导体材料的电导率;二是影响器件的工作频率。载流子沿电流方向的迁移率为:第12页,共30页,星期日,2025年,2月5日1.离子电导的一般表达式三.离子电导率——电导激活能,它包括缺陷形成能和迁移能。第13页,共30页,星期日,2025年,2月5日本征离子电导率的一般表达式为:杂质离子:式中:N2——杂质离子浓度若物质存在多种载流子,其总电导率为:第14页,共30页,星期日,2025年,2月5日4.2离子电导与扩散离子导电是离子在电场作用下的扩散现象。离子扩散机构主要有:①空位扩散;②间隙扩散;③亚晶格间隙扩散。一般间隙扩散比空位扩散需更大的能量。间隙-亚晶格扩散相对来讲晶格变形小,比较容易产生。图4.5离子扩散机构示意图(a)空位扩散(b)间隙扩散(c)亚晶格间隙扩散第15页,共30页,星期日,2025年,2月5日能斯特-爱因斯坦(Nernst-Einstein)方程电流密度:扩散通量:(用J表示)n为载流子单位体积浓度;x为扩散方向;q为离子电荷量;D为扩散系数。第16页,共30页,星期日

文档评论(0)

xiaolan118 + 关注
实名认证
文档贡献者

你好,我好,大家好!

版权声明书
用户编号:7140162041000002

1亿VIP精品文档

相关文档