半导体单晶硅的缺陷.pptVIP

第1页，共32页，星期日，2025年，2月5日一、点缺陷点缺陷的概念：由于晶体中空位、填隙原子及杂质原子的存在，引起晶格周期性的破坏，发生在一个或几个晶格常数的限度范围内，这类缺陷统称为点缺陷。按其对理想晶格的偏离的几何位置及成分来划分：空位、填隙原子、外来杂质原子和复合体（络合体）等。2.2.1微观缺陷第2页，共32页，星期日，2025年，2月5日图2-3-1空位缺陷1、空位：晶体中的原子由于热运动或辐射离开平衡位置跑到晶格的空隙中或晶体的表面，原来的位置又没被其他的原子占据而留下的空位。如图所示：第3页，共32页，星期日，2025年，2月5日空位存在的形式：1）晶体由在冷却到室温的过程中，空位来不及扩散直接被“冻结”在体内。2)与杂质原子形成络合体。3）双空位。4)凝聚成团而塌蹦形成位错圈。晶体中的空位用电子显微镜直接观察。而许多空位聚集成团，当它蹋蹦时形成位错圈，可以用化学腐蚀法或透射电子显微镜观察。第4页，共32页，星期日，2025年，2月5日2、填隙原子：晶体中的原子由于热运动或辐射离开平衡位置跑到晶格的空隙中，这样的原子称为填隙原子。如图所示：图2-3-2弗仑克尔缺陷填隙原子存在的方式：（1）与空位结合而消失。（2）聚集成团形成间隙性位错圈。（3）在生长界面附近凝聚形成微缺陷。第5页，共32页，星期日，2025年，2月5日3、杂质原子（外来原子）：由外来原子进入晶体而产生的缺陷。杂质原子又分为间隙式和置换式原子。如图所示：硅中的杂质氧、碳以及重金属都可能以两种方式存在，并与硅结合成键，如氧与硅形成Si-O-Si键。图2-3-3第6页，共32页，星期日，2025年，2月5日4、络合体杂质原子与空位相结合形成的复合体。如：空位-磷原子对（E中心）空位-氧原子对（A中心）这些络合体具有电活性，因此会影响半导体的载流子浓度。第7页，共32页，星期日，2025年，2月5日二、线缺陷：周期性的破坏局域在线附近,一般指位错。位错主要有刃位错、螺型位错以及位错环。如图所示为位错的示意图：第8页，共32页，星期日，2025年，2月5日1、刃位错：刃位错的构成象似一把刀劈柴似的，把半个原子面夹到完整晶体中，这半个面似刀刃，因而得名。如图所示。它的特点是：原子只在刃部的一排原子是错排的，位错线垂直于滑移方向。第9页，共32页，星期日，2025年，2月5日2、螺旋位错：当晶体中存在螺位错时，原来的一组晶面就象变成似单个晶面组成的螺旋阶梯。它的特点：位错线和位移方向平行，螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减少，故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。第10页，共32页，星期日，2025年，2月5日3、混合位错：除了上面介绍的两种基本型位错外，还有一种形式更为普遍的位错，其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错线相交成任意角度，这种位错称为混合位错。如图所示:第11页，共32页，星期日，2025年，2月5日位错环的特点：一根位错线不能终止于晶体内部，而只能露头于晶体表面（包括晶界）。若它终止于晶体内部，则必与其他位错线相连接，或在晶体内部形成封闭线。形成封闭线的位错称为位错环（位错的一种增殖机制），如图所示。第12页，共32页，星期日，2025年，2月5日硅单晶的准刃型位错：在金刚石结构中一种位错线与柏格斯矢量成60度角的位错，具有刃型位错的特点，因此成为准刃型位错。如图所示：第13页，共32页，星期日，2025年，2月5日5、位错中柏格斯矢量的判断：如图所示，利用右手螺旋定则沿基矢走，形成一个闭合回路，所有矢量的和即为柏格斯矢量。第14页，共32页，星期日，2025年，2月5日6、位错的滑滑移与攀移（1）位错的滑移：指位错线在滑移面沿滑移方向运动。其特点：位错线运动方向与柏格斯矢量平行。如图所示：第15页，共32页，星期日，2025年，2月5日硅单晶的滑移体系：{111}晶面和110晶向族滑移方向：取原子距离最小的晶列方向，对于硅而言，110晶向族的距离最小，因此为位错的滑移方向。共有12个方向，如图所示:第16页，共32页，星期日，2025年，2月5日滑移面：滑移面一般取面密度大，面间距大的晶面，硅晶体的滑移面为{111}晶面族，所示如图：第17页，共32页，星期日，2025年，2月5日（2）位错的攀移：位错线垂直于滑移向量的运动，他是由于在一定温度下，晶体中存在空位和填隙原子，在热运动的作用下，移动位错线，引起半平面的变大或变小。分为正攀移和负攀移。a)正攀移：由于吸收空位而使位错