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人工晶体的研究领域人工晶体的合成及晶体的生长工艺人工晶体的切磨抛镀等冷加工工艺研究晶体生长设备和温度、生长速率等控制系统研究晶体结构（晶胞参数、点阵、空间群、键参数、结构基元等），晶体物理化学性能（力、热、光、声、电、溶剂、溶解度、杂质分凝系数等）以及晶体功能特性开拓人工晶体的应用领域改进成熟晶体，探索新型人工晶体第23页，共48页，星期日，2025年，2月5日晶体的形成晶体生长理论相变过程和结晶的驱动力成核生长第24页，共48页，星期日，2025年，2月5日晶体生长理论发展阶段理论或模型主要提出者及时间主要内容晶体平衡形态理论Bravais法则1866年，A．Bravais1937，Friedel、Donnay、Harker晶体的最终外形应为面网密度最大的晶面所包围，晶面的法线方向生长速率反比于面网间距，生长速率快的晶面族在最终形态中消失Gibbs—Wulff生长定律1878年，J．W．Gibbs在恒温和等容的条件下，如果晶体的总表面能最小，则相应形态为晶体的平衡形态。当晶体趋向于平衡态时，它将调整自己的形态，使其总表面自由能最小Frank运动学理论1958年，F．C．Frank运动学第一定律和第二定律，利用该定律能够定量计算出晶体的生长形态界面生长理论完整光滑界面模型1927年，W．Kossel晶体是理想完整的，并且界面在原子层次上没有凹凸不平的现象，固相与流体相之间是突变的界面相理论模型2001年，高大伟、李国华认为晶体在生长过程中，位于晶体相和环境相之间的界面相可划分：界面层、吸附层和过渡层；界面相对晶体生长起着重要作用非完整光滑界面模型1949年，F．C．Frank晶体是理想不完整的，其中必然存在位错。一个纯螺型位错和光滑的奇异面相交，在晶面上会产生一个永不消失的台阶源，在生长过程中，台阶将逐渐变成螺旋状，使晶面不断向前推移第25页，共48页，星期日，2025年，2月5日晶体生长理论界面生长理论粗糙界面模型1959年，K．A．Jackson认为晶体生长的界面为单原子层，且单原子层中所包含的全部晶相与流体相原子都位于晶格位置上，并遵循统计规律分布弥散界面模型1966年，D．E．Temkin认为界面由多层原子构成，在平衡状态下，可根据界面相变熵大小推算界面宽度，并可根据非平衡状态下界面自由能变化，确定界面结构类型粗糙化相变理论1951年，Burton、Leamy、Eerden等认为存在一个温度，在此温度以上，界面由基本光滑转变为粗糙，晶体呈线性生长；并且上述结论在Temkin模型之外成立周期键链理论1952年，P．Hartman、W．G．Perdok认为晶体中存在不间断地连贯成键链的强键，并呈周期性重复；晶体生长速率与键链方向有关，生长速率最快的方向就化学键链最强的方向。按照晶体中存在的周期性键链与晶体各个面族之间的关系，把晶体划分为三种界面：F面、K面和S面负离子配位多面体模型1994年，仲维卓、华素坤将晶体的生长形态、晶体内部结构和晶体生长条件及缺陷作为统一体加以研究，考虑的晶体生长影响因素全面，接近于生长实际第26页，共48页，星期日，2025年，2月5日相变过程和结晶的驱动力气相生长熔体生长溶液生长第27页，共48页，星期日，2025年，2月5日气相生长第28页，共48页，星期日，2025年，2月5日熔体生长ΔG=ΔH-TΔS固液平衡时（Te）：ΔG=ΔH-TeΔS=0ΔH=TeΔS温度为T时：ΔG=ΔH（Te-T）/Te第29页，共48页，星期日，2025年，2月5日溶液生长第30页，共48页，星期日，2025年，2月5日成核在某种介质体系中，过饱和、过冷却状态的出现，并不意味着整个体系的同时结晶。体系内各处首先出现瞬时的微细结晶粒子。这时由于温度或浓度的局部变化，外部撞击，或一些杂质粒子的影响，都会导致体系中出现局部过饱和度、过冷却度较高的区域，使结晶粒子的大小达到临界值以上。这种形成结晶微粒子的作用称之为成核作用。介质体系内的质点同时进入不稳定状态形成新相，称为均匀成核作用。在体系内的某些局部小区首先形成新相的核，称为不均匀成核作用。第31页，共48页，星期日，2025年，2月5日生长层生长理论第32页，共48页，星期日，2025年，2月5日生长层生长理论第33页，共48页，星期日，2025年，2月5日生长层状生长理论晶体常生长成为面平、棱直的多面体形态。在晶体生长的过程中，