SiC CMP抛光垫，全球前4强生产商排名及市场份额（by QYResearch）.docx

全球市场研究报告

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SiCCMP抛光垫全球市场总体规模

化学机械抛光/平坦化（CMP）是一种通过化学作用与机械研磨相结合的材料表面处理工艺，用于获得超高平整度的光滑表面。该工艺在半导体行业被广泛运用于集成电路和存储磁盘的制造——当以材料去除为主要目的时称为化学机械抛光（Chemical-MechanicalPolishing），而以表面平整化为核心目标时则称为化学机械平坦化（Chemical-MechanicalPlanarization）。由于该工艺同时涉及摩擦学与腐蚀化学的协同效应，因此也被视为典型的摩擦化学过程。CMP抛光垫正是通过物理研磨与化学反应协同作用来平滑晶圆表面，从而提升半导体集成度的关键耗材。

碳化硅（SiC）CMP抛光垫是专为碳化硅晶圆化学机械平坦化工艺设计的特种抛光垫。在半导体制造中，CMP工艺对确保沉积材料层的均匀分布至关重要，这对于采用碳化硅材料（因其卓越的导热性和电学特性）的高性能功率半导体器件尤为关键。由于碳化硅晶圆硬度更高、加工难度更大，这类抛光垫需采用聚氨酯等兼具硬度与柔韧性的特殊材料制成，并能与CMP工艺中的特定抛光液协同工作。

SiCCMP抛光垫的核心功能是实现晶圆表面的无损平坦化，其通过优化设计的表面结构和材料配方，在应对碳化硅极高硬度的同时，确