N型Bi2Te2.7Se0.3热电材料的制备工艺及其与Cu连接机制研究.pdf

摘要

碲化铋是中低温区热电性能最好的热电材料之一，在热电制冷方面已得到了

大量的开发。然而，其热电发电应用仍然受到诸多的限制。其主要原因在于商用

区域熔炼制备的碲化铋的机械性能很差、热电转换效率低；热电发电期间需要将

碲化铋热电材料与电极材料进行连接，而目前缺乏适用于中低温热电发电（250℃

左右）长期服役的可靠的连接方法。针对以上问题，本课题首先制备了高性能N

型碲化铋热电材料，然后提出了适用于低温热电发电（100℃左右）和中低温热电

发电（250℃左右）的碲化铋与电极可靠连接的焊接方法。

熔融旋淬作为一种快速凝固的方法，可向材料内部引入大量纳米晶。本课题

首先采用区域熔炼定向凝固方法制备了柱状多晶BiTeSe。随后采用熔融旋淬

22.70.3

制备了BiTeSe薄带。将薄带研磨成粉通过热压烧结成BiTeSe块体材料，

22.70.322.70.3

并研究不同热压温度对于BiTeSe块体材料热电性能的影响。研究表明随着热

22.70.3

压温度的升高，BiTeSe块体材料的热电性能先升高后降低。在热压温度430℃

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的工艺参数下获得最高热电优值为0.91。相比于区熔定向凝固BiTeSe，材料

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的晶格热导率降低了65%，热电优值提高了50%。表明熔融旋淬法结合热压烧结

法可大幅度降低材料的晶格热导率，提高热电性能。

采用SAC305钎料实现BiTeSe与Cu的直接钎焊连接，并研究260℃下保

22.70.3

温时间对钎焊接头微观组织的影响，表明Sn元素与BiTeSe反应剧烈，钎焊接

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头无法在高于150℃的工作环境下长期可靠服役。随后制备了直径为10-14nm的纳

米银颗粒并制备成纳米银焊膏，实现BiTeSe与Cu的连接。接头典型界面结

22.70.3

构为BiTeSe/AgTe+AgBiTeSe/Ag(s,s)/Cu(s,s)/Cu。研究连接工艺参数对接

22.70.3x22.70.3

头界面组织形貌和力学性能的影响。连接温度的提高和保温时间的延长均会显著

促进母材与Ag的界面反应。界面反应过强，会导致接头组织疏松，产生明显裂纹。

随着连接温度的升高和保温时间的延长，接头的室温抗剪强度呈现先增加后减小

的变化趋势。当连接温度T=290℃，保温时间t=30min，压力P=10MPa时接头最

优，抗剪强度达到4MPa。

为进一步改善接头组织形貌，提高接头强度，课题在BiTeSe表面制备Ni

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镀层，并采用纳米银焊膏实现BiTeSe/Ni与Cu的连接。接头典型界面结构为

22.70.3

BiTeSe/NiTe/Ni/Ag(s,s)/Cu(s,s)/Cu。研究Ni镀层厚度、连接温度和保温时间对

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